公司代碼：688525 公司簡(jiǎn)稱：佰維存儲(chǔ)
深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司
(資料圖片)
第一節(jié) 重要提示
劃，投資者應(yīng)當(dāng)?shù)?ensp;www.sse.com.cn 網(wǎng)站仔細(xì)閱讀年度報(bào)告全文。
報(bào)告期內(nèi)，公司不存在對(duì)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性影響的特別重大風(fēng)險(xiǎn)，已在 2022 年年度報(bào)告中詳細(xì)
描述可能存在的相關(guān)風(fēng)險(xiǎn)，敬請(qǐng)查閱 2022 年年度報(bào)告第三節(jié)管理層討論與分析“四、風(fēng)險(xiǎn)因素”
部分內(nèi)容。
完整性，不存在虛假記載、誤導(dǎo)性陳述或重大遺漏，并承擔(dān)個(gè)別和連帶的法律責(zé)任。
□是 √否
綜合考慮公司目前經(jīng)營(yíng)狀況以及未來(lái)發(fā)展需要，為保障公司生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)的正常運(yùn)行，增強(qiáng)抵御
風(fēng)險(xiǎn)的能力，實(shí)現(xiàn)公司持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展，更好的維護(hù)全體股東的長(zhǎng)遠(yuǎn)利益，公司2022年度
擬不進(jìn)行利潤(rùn)分配，不派發(fā)現(xiàn)金股利，不送紅股，不以資本公積金轉(zhuǎn)增股本。以上利潤(rùn)分配預(yù)案
已經(jīng)公司第三屆董事會(huì)第七次會(huì)議審議通過(guò)，尚需公司2022年年度股東大會(huì)審議通過(guò)。
□適用 √不適用
第二節(jié) 公司基本情況
公司股票簡(jiǎn)況
√適用 □不適用
公司股票簡(jiǎn)況
股票種類 股票上市交易所及板塊 股票簡(jiǎn)稱 股票代碼 變更前股票簡(jiǎn)稱
A股 上海證券交易所科創(chuàng)板 佰維存儲(chǔ) 688525 不適用
公司存托憑證簡(jiǎn)況
□適用 √不適用
聯(lián)系人和聯(lián)系方式
聯(lián)系人和聯(lián)系方式 董事會(huì)秘書（信息披露境內(nèi)代表） 證券事務(wù)代表
姓名 黃炎烽 李帥鐸
辦公地址 廣東省深圳市南山區(qū)眾冠紅花嶺工業(yè) 廣東省深圳市南山區(qū)眾冠
區(qū)2區(qū)4棟3樓 紅花嶺工業(yè)區(qū)2區(qū)4棟3樓
電話 0755-27615701 0755-27615701
電子信箱 ir@biwin.com.cn ir@biwin.com.cn
(一) 主要業(yè)務(wù)、主要產(chǎn)品或服務(wù)情況
公司主要從事半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品及服務(wù)包括嵌入
式存儲(chǔ)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)、工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)及先進(jìn)封測(cè)服務(wù)。公司緊緊圍繞半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈，構(gòu)筑了
研發(fā)封測(cè)一體化的經(jīng)營(yíng)模式，在存儲(chǔ)介質(zhì)特性研究、固件算法開發(fā)、存儲(chǔ)芯片封測(cè)、測(cè)試研發(fā)、
全球品牌運(yùn)營(yíng)等方面具有核心競(jìng)爭(zhēng)力，并積極布局芯片 IC 設(shè)計(jì)、先進(jìn)封測(cè)、芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)等
技術(shù)領(lǐng)域，是國(guó)家級(jí)專精特新小巨人企業(yè)、國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。公司產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于移動(dòng)智能
終端、PC、行業(yè)終端、數(shù)據(jù)中心、智能汽車、移動(dòng)存儲(chǔ)等領(lǐng)域。
萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代，數(shù)據(jù)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，海量數(shù)據(jù)需要存儲(chǔ)，存儲(chǔ)形式也更加多元化。公司緊隨
存儲(chǔ)器大容量、大帶寬、低延時(shí)、低功耗、高安全、小尺寸等升級(jí)方向，在移動(dòng)智能終端、PC、
行業(yè)終端、數(shù)據(jù)中心、智能汽車、移動(dòng)存儲(chǔ)等六大應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，打造了全系列、差異化的
產(chǎn)品體系及服務(wù)，主要包括嵌入式存儲(chǔ)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)、工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)、先進(jìn)封測(cè)服務(wù)四大板塊。
（1）嵌入式存儲(chǔ)
公司嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品類型涵蓋 ePOP、eMCP、eMMC、UFS、BGA SSD、LPDDR、MCP、SPI NAND
等，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板、智能穿戴、無(wú)人機(jī)、智能電視、筆記本電腦、智能車載、機(jī)頂盒、
智能工控、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。其中，公司車載嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)達(dá)到車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。公司于
ePOP、eMCP 均為 NAND Flash 和 LPDDR 二合一的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，其中 ePOP 廣泛應(yīng)用于對(duì)芯片
尺寸、功耗有嚴(yán)苛要求的移動(dòng)智能終端，尤其是智能手表、智能手環(huán)、VR 眼鏡等智能穿戴設(shè)備領(lǐng)
域，而 eMCP 則廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦等智能終端。
憑借存儲(chǔ)介質(zhì)特性研究、自研固件算法、多芯片異構(gòu)集成封裝工藝及自研芯片測(cè)試設(shè)備與測(cè)
試算法等核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)，公司 ePOP、eMCP 產(chǎn)品具備小尺寸、低功耗、高可靠、高性能等優(yōu)勢(shì)，
其中，ePOP 系列產(chǎn)品最小尺寸僅為 8*9.5*0.79（mm）
，直接貼裝在 SoC 的上方，加強(qiáng)了信號(hào)傳輸，
節(jié)省了板載面積。
在市場(chǎng)方面，公司 ePOP 系列產(chǎn)品目前已被 Google、Facebook、小天才等知名企業(yè)應(yīng)用于其
智能手表、VR 眼鏡等智能穿戴設(shè)備上；公司 eMCP 系列產(chǎn)品獲得智能手機(jī)、平板電腦客戶的廣泛
認(rèn)可。
eMMC 是當(dāng)前智能終端設(shè)備的主流閃存解決方案，在尺寸、成本等方面具有優(yōu)勢(shì)，占據(jù)較大
的市場(chǎng)空間。UFS 是 eMMC 的迭代產(chǎn)品，具有更高的存儲(chǔ)性能和傳輸速率，目前已成為中高端智
能手機(jī)的主流選擇。eMMC、UFS 廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、車載電子、物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴、
機(jī)頂盒等領(lǐng)域。
公司 eMMC、UFS 產(chǎn)品采用自研低功耗固件、超薄 Die 封裝設(shè)計(jì)與工藝并通過(guò)完善的自動(dòng)化
測(cè)試系統(tǒng)的嚴(yán)苛測(cè)試，具有小尺寸、低功耗、高性能、高可靠性和高耐用性等特點(diǎn)。公司于 2019
年曾推出逼近封裝極限的超小 eMMC，尺寸僅為 7.5*8.0*0.6（mm）
，是公司面向智能穿戴市場(chǎng)的
一款廣受好評(píng)的存儲(chǔ)解決方案。公司 UFS 包括 UFS2.2、UFS3.1 等系列，性能及容量高出 eMMC 數(shù)
倍，可應(yīng)用于旗艦手機(jī)和智能車載等中高端領(lǐng)域。在市場(chǎng)方面，公司 eMMC 系列產(chǎn)品已被 Google、
Facebook、小天才等知名企業(yè)應(yīng)用于其智能穿戴設(shè)備上，并進(jìn)入主流手機(jī)廠商供應(yīng)鏈體系；UFS
系列產(chǎn)品已在部分客戶實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)供應(yīng)。
BGA SSD 為芯片形態(tài)，尺寸僅為傳統(tǒng) 2.5 英寸 SSD 的 1/50 左右，并具有低功耗、低成本、抗
震、高可靠性的優(yōu)勢(shì)。同時(shí)，由于可搭配 PCIe 接口、NVMe 協(xié)議，其讀寫性能提升的潛力巨大，
是萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代，高性能移動(dòng)智能設(shè)備的理想存儲(chǔ)解決方案。
通過(guò)封裝仿真設(shè)計(jì)、自研核心固件算法，并采用 16 層疊 Die 封裝工藝，公司目前的 BGA SSD
產(chǎn)品尺寸最小規(guī)格為 11.5*13*1.2（mm），產(chǎn)品容量最大可達(dá) 1TB，性能卓越，同時(shí)還具備 PLP 斷
電保護(hù)、pSLC、全局磨損均衡、LDPC(Parity Check)校驗(yàn)等功能，保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性、安全性與
耐用性。在市場(chǎng)方面，公司 BGA SSD 已通過(guò) Google 準(zhǔn)入供應(yīng)商名單認(rèn)證，在 AI 移動(dòng)終端、云手
機(jī)、高性能超薄筆記本、無(wú)人機(jī)、智能汽車等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
LPDDR 即低功耗內(nèi)存，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、超薄筆記本等移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域。公司
LPDDR 產(chǎn)品涵蓋 LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4X、LPDDR5 各代標(biāo)準(zhǔn)，容量覆蓋 2Gb 至 64Gb；最新一
代 LPDDR5 產(chǎn)品相比于 LPDDR4，頻率大幅提升，最高達(dá)到 6400Mbps，功耗更低，目前已具備大
批量供應(yīng)能力。
優(yōu)質(zhì) LPDDR 的特點(diǎn)是高頻率、大容量、低功耗，并具有良好的穩(wěn)定性、兼容性，對(duì)存儲(chǔ)器廠
商測(cè)試能力的要求極高。公司在 2022 年引進(jìn)全球領(lǐng)先的 Advantest（愛德萬(wàn)）T5503HS2 量產(chǎn)測(cè)試
系統(tǒng)并結(jié)合自研自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備，進(jìn)一步強(qiáng)化公司自身全棧存儲(chǔ)芯片測(cè)試能力，結(jié)合豐富的自研
測(cè)試算法庫(kù)，滿足公司 DDR5、LPDDR5 產(chǎn)品的高頻高速測(cè)試需求，保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定，并達(dá)到客
戶要求的性能及功耗指標(biāo)。在市場(chǎng)方面，公司 LPDDR 系列產(chǎn)品已進(jìn)入多家消費(fèi)電子龍頭企業(yè)的供
應(yīng)體系。
公司通過(guò)存儲(chǔ)介質(zhì)特性研究、先進(jìn)封裝工藝與自研測(cè)試算法，最大化提升了 MCP、SPI NAND
產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性，與不同客戶的產(chǎn)品方案需求相匹配。公司 MCP、SPI NAND 產(chǎn)品主要面向通
信市場(chǎng)，已進(jìn)入多家龍頭企業(yè)供應(yīng)體系。
公司主要嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品具體介紹如下：
產(chǎn)品類型 外觀 應(yīng)用領(lǐng)域 佰維存儲(chǔ)器產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)
存儲(chǔ)容量：
/16GB+1GB/32GB+1GB/16GB+2GB/32GB+2GB
/64GB+2GB
最大順序讀取速度：320MB/s；
ePOP 智能穿戴
最大順序?qū)懭胨俣龋?60MB/s；
工作溫度：-20℃~85℃
封裝形式：
FBGA136/FBGA168/FBGA320
/FBGA144
存儲(chǔ)容量：
智能手機(jī)/平板電
最大順序讀取速度：320MB/s；
eMMC 腦/物聯(lián)網(wǎng)/智能穿
最大順序?qū)懭胨俣龋?60MB/s；
戴/機(jī)頂盒等
工作溫度：-40℃~85℃/-20℃~85℃
封裝形式：FBGA153/FBGA169
存儲(chǔ)容量：
智能手機(jī)/智能汽 最大順序讀取速度：2100MB/s；
UFS
車 最大順序?qū)懭胨俣龋?200MB/s；
工作溫度：-20℃~85℃
封裝形式：FBGA153
產(chǎn)品類型 外觀 應(yīng)用領(lǐng)域 佰維存儲(chǔ)器產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)
存儲(chǔ)容量：
物聯(lián)網(wǎng)/便攜式終
MCP 頻率：533MHz；
端/智能穿戴
工作溫度：-20℃~85℃
封裝形式：FBGA162
存儲(chǔ)容量：
/32GB+3GB/32GB+2GB/64GB+3GB/64GB+4GB
智能手機(jī)/平板電 /64GB+6GB/128GB+4GB/128GB+6GB
eMCP 腦/物聯(lián)網(wǎng)/智能穿 最大順序讀取速度：320MB/s；
戴/機(jī)頂盒 最大順序?qū)懭胨俣龋?60MB/s；
工作溫度：-20℃~85℃
封裝形式：
FBGA162/FBGA221/FBGA254
接口：PCIe Gen4.0 x2，NVMe 1.4；
存儲(chǔ)容量：256GB/512GB/1TB；
高端手機(jī)/高端筆
最大順序讀取速度：3500MB/s；
BGA SSD 記本/無(wú)人機(jī)/智能
最大順序?qū)懭胨俣龋?300MB/s；
汽車
工作溫度：-25℃~85℃
封裝形式：FBGA345/FBGA291
存儲(chǔ)容量：2Gb~64Gb；
智能手機(jī)/平板電
頻率：1,600MHz/3200MHz/6400MHz；
LPDDR 腦/物聯(lián)網(wǎng)/智能穿
工作溫度：-20℃~85℃
戴
封裝形式：FBGA168/FBGA178/FBGA200
存儲(chǔ)容量：128MB/256MB/512MB
智能穿戴/光調(diào)制 工作溫度：-40℃~85℃
SPI NAND
解調(diào)器/機(jī)頂盒 工作電壓：2.7V~3.6V
封裝形式：LGA8/LGA16
（2）消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)
公司的消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條和移動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)品，主要應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域。公
司消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)具有高性能、高品質(zhì)的特點(diǎn)，并具備創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。公司固態(tài)硬盤產(chǎn)品傳輸速率
最高可達(dá) 7,400MB/s，處于行業(yè)領(lǐng)先地位，并支持?jǐn)?shù)據(jù)糾錯(cuò)、壽命監(jiān)控、異常掉電保護(hù)、數(shù)據(jù)加
密、端到端數(shù)據(jù)保護(hù)、功耗監(jiān)測(cè)及控制等功能。公司已正式發(fā)布 DDR5 內(nèi)存模組，傳輸速率達(dá)
公司佰維（Biwin）品牌主要面向 PC OEM 等 To B 市場(chǎng)，獨(dú)家運(yùn)營(yíng)的惠普（HP）
、掠奪者（Predator）
等授權(quán)品牌主要在京東、亞馬遜等線上平臺(tái)，以及 Best Buy、Staples 等線下渠道開發(fā) To C 市場(chǎng)。
針對(duì) PC 品牌商、PC OEM 廠商、裝機(jī)商等 PC 前裝市場(chǎng)，公司佰維（Biwin）品牌提供的產(chǎn)品
主要包括消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤及內(nèi)存條，產(chǎn)品具有高性能、高品質(zhì)的特點(diǎn)，符合 To B 客戶的高標(biāo)準(zhǔn)要
求。另外，公司能提供穩(wěn)定的供貨保障和完善的售后。憑借長(zhǎng)期的技術(shù)研發(fā)積累和智能化的生產(chǎn)
測(cè)試體系，公司產(chǎn)品通過(guò)了 PC 行業(yè)龍頭客戶嚴(yán)苛的預(yù)裝導(dǎo)入測(cè)試，在性能、可靠性、兼容性等方
面達(dá)到國(guó)際一流標(biāo)準(zhǔn)，目前已經(jīng)進(jìn)入聯(lián)想、宏碁、同方、富士康等國(guó)內(nèi)外知名 PC 廠商供應(yīng)鏈。在
國(guó)產(chǎn)非 X86 市場(chǎng)，公司 SSD 產(chǎn)品和內(nèi)存模組已陸續(xù)適配龍芯、鯤鵬、飛騰、兆芯、海光、申威等
國(guó)產(chǎn) CPU 平臺(tái)以及 UOS、麒麟等國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng)，獲得整機(jī)廠商廣泛認(rèn)可和批量采購(gòu)。
公司 To B 市場(chǎng)品牌主要產(chǎn)品具體介紹如下：
應(yīng)用
產(chǎn)品類型 外觀 佰維存儲(chǔ)器產(chǎn)品特點(diǎn)
領(lǐng)域
應(yīng)用在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的主流 PCIe SSD，具有高性能、
小尺寸、小體積的特點(diǎn)。
接口：PCIe Gen3.0×4，NVMe 1.3
Biwin 固態(tài)硬盤 PC 存儲(chǔ)容量：128GB/256GB/512GB/1TB；
最大順序讀取速度：3500MB/s；
最大順序?qū)懭胨俣龋?000MB/s；
工作溫度： 0℃~70℃
應(yīng)用在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的主流 PCIe SSD，具有高性能、
小尺寸、小體積、大容量的特點(diǎn)。
接口：PCIe Gen4.0×4，NVMe 1.4
Biwin 固態(tài)硬盤 PC 存儲(chǔ)容量：512GB/1TB/2TB
最大順序讀取速度：7400MB/s；
最大順序?qū)懭胨俣龋?700MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)筆記本電腦市場(chǎng)，符合
JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，具有高性能、低時(shí)序、高數(shù)據(jù)傳輸速
Biwin DDR4 率、兼容性強(qiáng)的特點(diǎn)；
SODIMM 筆記本 容量：4GB/8GB/16GB/32GB;
內(nèi)存條 頻率：
工作溫度：0℃~85℃；
應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)個(gè)人電腦市場(chǎng)，符合 JEDEC
標(biāo)準(zhǔn)，具有高性能、低時(shí)序、高數(shù)據(jù)傳輸速率、兼
Biwin DDR4 容性強(qiáng)的特點(diǎn)；
UDIMM PC 容量：4GB/8GB/16GB/32GB;
內(nèi)存條 頻率：
工作溫度：0℃~85℃；
Biwin DDR4 應(yīng)用于企業(yè)級(jí)服務(wù)器市場(chǎng)，符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，具有
服務(wù)器
RDIMM 高性能、低時(shí)序、高數(shù)據(jù)傳輸速率、兼容性強(qiáng)、功
應(yīng)用
產(chǎn)品類型 外觀 佰維存儲(chǔ)器產(chǎn)品特點(diǎn)
領(lǐng)域
內(nèi)存條 耗低的特點(diǎn)；
容量：16GB/32GB;
頻率：2666Mbps/2933Mbps/3200Mbps；
工作溫度：0℃~85℃；
應(yīng)用于小型工作站，符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，具有高性能、
低時(shí)序、高數(shù)據(jù)傳輸速率、兼容性強(qiáng)的特點(diǎn)；
Biwin DDR4 ECC
工作站 容量：4GB/8GB/16GB/32GB;
UDIMM 內(nèi)存條
頻率：2666Mbps/2933Mbps/3200Mbps；
工作溫度：0℃~85℃；
應(yīng)用于小型工作站 ，符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，具有高性
能、低時(shí)序、高數(shù)據(jù)傳輸速率、兼容性強(qiáng)的特點(diǎn)；
Biwin DDR4 ECC
工作站 容量：4GB/8GB/16GB/32GB;
SODIMM 內(nèi)存條
頻率：2666Mbps/2933Mbps/3200Mbps；
工作溫度：0℃~85℃；
應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)個(gè)人電腦市場(chǎng)，符合 JEDEC
標(biāo)準(zhǔn)，具有高性能、低時(shí)序、高數(shù)據(jù)傳輸速率、兼
Biwin DDR5
容性強(qiáng)的特點(diǎn)；
UDIMM PC
容量：8GB/16GB/32GB；
內(nèi)存條
頻率：4800Mbps/5200Mbps；
工作溫度：0℃~85℃；
應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)個(gè)人電腦市場(chǎng)，符合 JEDEC
標(biāo)準(zhǔn)，具有高性能、低時(shí)序、高數(shù)據(jù)傳輸速率、兼
Biwin DDR5
容性強(qiáng)的特點(diǎn)；
SODIMM PC
容量：8GB/16GB/32GB；
內(nèi)存條
頻率：4800Mbps；
工作溫度：0℃~85℃；
公司通過(guò)獨(dú)家運(yùn)營(yíng)的惠普（HP）
、掠奪者（Predator）等品牌，開發(fā) PC 后裝、電子競(jìng)技、移
動(dòng)存儲(chǔ)等 To C 市場(chǎng)，并取得了良好的市場(chǎng)表現(xiàn)。
在授權(quán)品牌運(yùn)營(yíng)方面，公司有兩大突出優(yōu)勢(shì)：一方面公司擁有從產(chǎn)品規(guī)劃、設(shè)計(jì)開發(fā)到先進(jìn)
制造的全棧能力，產(chǎn)品線囊括 NAND、DRAM 的各個(gè)品類；另一方面公司擁有覆蓋全球主要市場(chǎng)
的營(yíng)銷網(wǎng)絡(luò)，以及本地化的產(chǎn)品和市場(chǎng)營(yíng)銷隊(duì)伍、經(jīng)銷商伙伴，具備面向全球市場(chǎng)進(jìn)行產(chǎn)品推廣
與銷售的能力。公司先后獲得惠普（HP）和掠奪者（Predator）等國(guó)際知名品牌的存儲(chǔ)器產(chǎn)品全
球運(yùn)營(yíng)授權(quán)，由公司獨(dú)立進(jìn)行相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和市場(chǎng)推廣、銷售。
運(yùn)營(yíng)惠普（HP）以來(lái)，公司充分挖掘京東、Amazon、Newegg 等線上平臺(tái)，以及線下經(jīng)銷商
渠道的銷售潛力，產(chǎn)品銷量位居行業(yè)前列，品牌美譽(yù)度持續(xù)提升。在拉美市場(chǎng)，惠普（HP）存儲(chǔ)
器產(chǎn)品表現(xiàn)強(qiáng)勁，曾占據(jù)秘魯?shù)葒?guó)存儲(chǔ)器進(jìn)口排名首位。在 2019 年京東 618 購(gòu)物節(jié)、2020 年京
東 618 購(gòu)物節(jié)、2020 年京東雙 11 購(gòu)物節(jié)等平臺(tái)促銷活動(dòng)中，HP SSD 產(chǎn)品銷售額排名皆進(jìn)入前五。
HP FX900 Pro 固態(tài)硬盤獲得 Nikktech 2022 金牌獎(jiǎng)、Kitguru 2022 值得購(gòu)買獎(jiǎng)、TweakTown 2022 編
輯選擇獎(jiǎng)、IOPS 冠軍；HP FX900 固態(tài)硬盤獲得 TweakTown 2022 編輯選擇獎(jiǎng)、PCMag 2022 年度“最
佳 M.2 SSD”第四名；HP V10 內(nèi)存模組獲得 Techpowerup 2022 高度推薦獎(jiǎng)、FunkyKit 2022 編輯選
擇金獎(jiǎng)、2021 年德國(guó)紅點(diǎn)獎(jiǎng)以及德國(guó) IF 設(shè)計(jì)獎(jiǎng)；HP P500 移動(dòng)固態(tài)硬盤榮獲“PConline 2020 年度
橫評(píng)年度風(fēng)云移動(dòng)固態(tài)硬盤”獎(jiǎng)。
為進(jìn)一步提升公司消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)的市場(chǎng)覆蓋能力，2020 年 7 月，公司與宏碁（Acer）簽訂高端
電競(jìng)品牌掠奪者（Predator）的全球獨(dú)家品牌授權(quán)，授權(quán)產(chǎn)品包括內(nèi)存模組、固態(tài)硬盤、移動(dòng)固態(tài)
硬盤等品類。公司掠奪者（Predator）的系列產(chǎn)品主要面向游戲電競(jìng)市場(chǎng)，于 2021 年 4 月順利面
市，并迅速在 To C 市場(chǎng)嶄露頭角。宏碁掠奪者（Predator）京東自營(yíng)店在 2021 年京東 618 購(gòu)物節(jié)、
雙 11 購(gòu)物節(jié)及 2022 年京東 618 購(gòu)物節(jié)、雙 11 購(gòu)物節(jié)期間進(jìn)入內(nèi)存品類店鋪前十名。除電競(jìng)內(nèi)
存品類外，掠奪者（Predator）存儲(chǔ)品牌在電競(jìng) SSD 領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，于 2022 年京東雙 11 購(gòu)物節(jié)
期間首次進(jìn)入京東 SSD 品類店鋪排行前十名。掠奪者（Predator）Apollo 內(nèi)存榮獲“PConline 2021
智臻科技獎(jiǎng)年度頻率之星內(nèi)存”
，掠奪者（Predator）Vesta 系列內(nèi)存獲得 2022 年德國(guó)紅點(diǎn)獎(jiǎng)，掠
奪者（Predator） GM7000 SSD 榮獲“PCMag 2022 年度最佳電競(jìng) SSD 第一名”
，掠奪者（Predator）
存儲(chǔ)品牌榮獲“2022 年什么值得買消費(fèi)大賞新銳潮流品牌獎(jiǎng)”
。
公司 To C 市場(chǎng)品牌主要產(chǎn)品具體介紹如下：
產(chǎn)品類型 外觀 應(yīng)用領(lǐng)域 佰維存儲(chǔ)器產(chǎn)品特點(diǎn)
U.2 PCIe SSD，支持 4 通道 PCIe Gen3.0，支持 NVMe
協(xié)議，具有高性能與高可靠性的特點(diǎn)。
接口：PCIe Gen3.0×4，NVMe 1.3；
HP
PC 存儲(chǔ)容量：512GB/1TB/2TB；
固態(tài)硬盤
最大順序讀取速度：3500MB/s；
最大順序?qū)懭胨俣龋?000MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
新一代接口的 PCIe SSD，具有小尺寸、高性能、低
功耗的特點(diǎn)。
接口：PCIe Gen4.0×4，NVMe 1.4；
HP
PC 存儲(chǔ)容量：512GB/1TB/2TB/4TB；
固態(tài)硬盤
最大順序讀取速度：7400MB/s；
最大順序?qū)懭胨俣龋?700MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
產(chǎn)品類型 外觀 應(yīng)用領(lǐng)域 佰維存儲(chǔ)器產(chǎn)品特點(diǎn)
SATA SSD 具有應(yīng)用廣泛、穩(wěn)定易用的特點(diǎn)，是目前
市面上使用量最大的 SSD。
接口：SATA3.0, 6Gb/s
HP
PC 存儲(chǔ)容量：256GB/512GB/1TB；
固態(tài)硬盤
最大順序讀取速度：560MB/s；
最大順序?qū)懭胨俣龋?20MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
消費(fèi)類 SATA M.2 SSD，使用 DRAM-less 的方案，具
有低成本的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)可以為客戶提供良好的應(yīng)用
性能。
HP 接口：SATA3.0, 6GB/s
PC
固態(tài)硬盤 存儲(chǔ)容量：256GB/512GB/1TB；
最大順序讀取速度：560MB/s；
最大順序?qū)懭胨俣龋?20MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
應(yīng)用于臺(tái)式機(jī)的內(nèi)存條，具有高速、穩(wěn)定、兼容性
好、低功耗的特點(diǎn)；
HP 內(nèi)存條 PC 類型：DDR4 U-DIMM
容量：4GB/8GB/16GB/32GB；
頻率：最高 3200Mbps
應(yīng)用于臺(tái)式機(jī)的內(nèi)存條，具有高速、穩(wěn)定、兼容性
好、低功耗的特點(diǎn)；
HP 內(nèi)存條 PC 類型：DDR4 U-DIMM 帶散熱器
容量：8GB/16GB；
頻率：最高 4133 Mbps
應(yīng)用于臺(tái)式機(jī)的內(nèi)存條，具有穩(wěn)定的特點(diǎn)。
類型：DDR4 U-DIMM 帶散熱器，RGB 燈條
HP 內(nèi)存條 PC
容量：8GB/16GB；
頻率：最高 4133 Mbps
應(yīng)用于筆記本的內(nèi)存條，高速、穩(wěn)定、兼容性好、
低功耗；
HP 內(nèi)存條 PC 類型：DDR4 SO-DIMM
容量：4GB/8GB/16GB；
頻率：最高 3200 Mbps
高端電競(jìng)臺(tái)式機(jī)內(nèi)存，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
HP 類型：DDR4 U-DIMM ;
PC
內(nèi)存條 容量：8GB/16GB/32GB；
頻率：最高 4400 Mbps
產(chǎn)品類型 外觀 應(yīng)用領(lǐng)域 佰維存儲(chǔ)器產(chǎn)品特點(diǎn)
應(yīng)用于筆記本的內(nèi)存條，采用全新 DDR5 設(shè)計(jì)規(guī)范，
具有高性能、高數(shù)據(jù)傳輸速率、低功耗、兼容性強(qiáng)
HP 等特點(diǎn)；
PC
內(nèi)存條 類型：DDR5 SO-DIMM
容量：8GB/16GB/32GB；
頻率：最高 4800 Mbps
應(yīng)用于臺(tái)式機(jī)的內(nèi)存條，采用全新 DDR5 設(shè)計(jì)規(guī)范，
具有高性能、高數(shù)據(jù)傳輸速率、低功耗、兼容性強(qiáng)
HP 等特點(diǎn)；
PC
內(nèi)存條 類型：DDR5 U-DIMM
容量：8GB/16GB/32GB；
頻率：最高 4800 Mbps
高性能、低功耗、兼容最新的 Intel/AMD 最新平臺(tái)
接口：PCIe Gen3.0×4，NVMe1.3；
Predator
存儲(chǔ)容量：512GB/1TB；
GM3500 固 PC
最大順序讀取速度：3400MB/s；
態(tài)硬盤
最大順序?qū)懭胨俣龋?000MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
高性能、低功耗、兼容最新的 Intel/AMD 最新平臺(tái)，
支持 PS5 擴(kuò)容
Predator 接口：PCIe Gen4.0×4，NVMe1.4；
GM7000 固 PC 存儲(chǔ)容量：512GB/1TB/2TB；
態(tài)硬盤 最大順序讀取速度：7400MB/s；
最大順序?qū)懭胨俣龋?700MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
高性能、低功耗、兼容最新的 Intel/AMD 最新平臺(tái)，
支持 PS5 擴(kuò)容
Predator 接口：PCIe Gen4.0×4，NVMe1.4；
GM7 PC 存儲(chǔ)容量：512GB/1TB/2TB；
固態(tài)硬盤 最大順序讀取速度：7200MB/s；
最大順序?qū)懭胨俣龋?300MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
高端電競(jìng)臺(tái)式機(jī)馬甲條，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
Predator
類型：DDR4 U-DIMM;
Pallas PC
容量：16GB/32GB；
內(nèi)存條
頻率：最高 3600 Mbps
高端電競(jìng)臺(tái)式機(jī)馬甲條，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
Predator
類型：DDR4 U-DIMM;
Talos PC
容量：16GB/32GB；
內(nèi)存條
頻率：最高 3600 Mbps
Predator 高端電競(jìng)臺(tái)式機(jī) RGB 內(nèi)存，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
PC
Apollo 類型：DDR4 U-DIMM;
產(chǎn)品類型 外觀 應(yīng)用領(lǐng)域 佰維存儲(chǔ)器產(chǎn)品特點(diǎn)
內(nèi)存條 容量：16GB/32GB；
頻率：最高 4400 Mbps
高端電競(jìng)臺(tái)式機(jī) RGB 內(nèi)存，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
Predator
類型：DDR4 U-DIMM;
Vesta PC
容量：16GB/32GB；
內(nèi)存條
頻率：最高 4000 Mbps
高端電競(jìng)臺(tái)式機(jī) RGB 內(nèi)存，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
Predator
類型：DDR5 U-DIMM;
Vesta II PC
容量：32GB/64GB；
內(nèi)存條
頻率：最高 6800 Mbps；
高端電競(jìng)臺(tái)式機(jī) RGB 內(nèi)存，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
Predator
類型：DDR5 U-DIMM;
Pallas II PC
容量：32GB/64GB；
內(nèi)存條
頻率：最高 6000 Mbps；
產(chǎn)品穩(wěn)定，具有廣泛兼容性及實(shí)用性。可以在不同
設(shè)備間進(jìn)行數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)移，存放；
接口：USB3.2 Gen2 Type-C
HP 移動(dòng)固 個(gè)人消費(fèi)
存儲(chǔ)容量：120GB/250GB/500GB/1TB
態(tài)硬盤 者
最大順序讀取速度：420MB/s
最大順序?qū)懭胨俣龋?20MB/s
工作溫度：0℃~50℃
具有小尺寸，大容量，高性能的特點(diǎn)。
接口：SDIO
存儲(chǔ)容量：64GB/128GB/256GB
HP NM 卡 智能手機(jī)
最大順序讀取速度：90MB/s
最大順序?qū)懭胨俣龋?5MB/s
工作溫度：-25℃~85℃
具有穩(wěn)定寫入性能、高耐用性和高可靠性，適合拍
攝、存放大型 RAW 圖像文件以及電視/電影所需的
高質(zhì)量視頻。
Biwin CF 全景相機(jī)/ 接口：PCIe Gen3×2
express 卡 運(yùn)動(dòng)相機(jī) 存儲(chǔ)容量：256GB/512GB/1TB
最大順序讀取速度：1700MB/s
最大順序?qū)懭胨俣龋?250MB/s
工作溫度：-10℃-70℃
CFast 存儲(chǔ)卡基于新一代高性能照相機(jī)和攝像機(jī)，具
有無(wú)與倫比的穩(wěn)定寫入速度，提供了適合全高清錄
智能汽車/
Cfast 制規(guī)格的專業(yè)優(yōu)異速度與容量，并可支持 4K 高清
醫(yī)療保健/
存儲(chǔ)卡 視頻的錄制。
工業(yè)相機(jī)
容量：256GB~1TB
工作溫度：-40~85℃/-25~70℃/0~70℃
（3）工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)
公司工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)包括工規(guī)級(jí) SSD、車載 SSD 及工業(yè)級(jí)內(nèi)存模組等，主要面向工業(yè)類細(xì)分市場(chǎng)，
應(yīng)用于 5G 基站、智能汽車、智慧城市、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、高端醫(yī)療設(shè)備、智慧金融等領(lǐng)域。工業(yè)級(jí)
客戶對(duì)產(chǎn)品的性能、穩(wěn)定性、安全性、強(qiáng)固性、耐用性有著嚴(yán)苛的標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)存儲(chǔ)器廠商的技術(shù)研
發(fā)實(shí)力、定制化能力、生產(chǎn)工藝、穩(wěn)定供應(yīng)等提出了極高的要求。公司針對(duì)不同領(lǐng)域的工業(yè)級(jí)應(yīng)
用開發(fā)了眾多技術(shù)解決方案，滿足不同場(chǎng)景的應(yīng)用需求。為布局車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)，公
司于 2018 年獲得 IATF16949:2016 汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證。
公司通過(guò)自研設(shè)備和算法對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行特性研究及篩選，可針對(duì)不同應(yīng)用適配最佳的存儲(chǔ)
介質(zhì)，滿足客戶的寬溫需求；通過(guò)核心固件算法開發(fā)，讓產(chǎn)品具有讀寫性能穩(wěn)定、數(shù)據(jù)糾錯(cuò)、壽
命監(jiān)控、異常掉電保護(hù)、數(shù)據(jù)加密、端到端數(shù)據(jù)保護(hù)、功耗監(jiān)測(cè)及控制等功能；通過(guò)硬件設(shè)計(jì)與
仿真，讓產(chǎn)品具有更高的可靠性和持續(xù)工作穩(wěn)定性，并具備邏輯銷毀，物理銷毀及異常斷電保護(hù)
等功能；通過(guò)先進(jìn)封裝工藝，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小尺寸、多芯片異構(gòu)集成封裝；通過(guò)自研測(cè)試設(shè)備與測(cè)
試算法，保證產(chǎn)品的高品質(zhì)與高性能。
公司工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)以 A、B、G 等系列 SSD 產(chǎn)品為主。各系列產(chǎn)品包括 2.5"SSD、mSATA、SATA M.2
SSD、NVMe M.2 SSD 等不同的產(chǎn)品形態(tài)，滿足客戶的不同需求與場(chǎng)景。A 系列產(chǎn)品屬常溫入門級(jí)
（工作溫度：0℃~70℃）；B 系列適用于小文件密集寫入及頻繁異常掉電應(yīng)用場(chǎng)景需求；G 系列適
用于寬溫環(huán)境（工作溫度：-40℃~85℃）。
公司主要工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)具體介紹如下：
產(chǎn)品名稱 外觀 應(yīng)用領(lǐng)域 佰維存儲(chǔ)器產(chǎn)品特點(diǎn)
可在寬溫下工作，支持掉電保護(hù)，軟件數(shù)
醫(yī)療保健/特殊工業(yè)
應(yīng)用/智慧交通/服務(wù)
盤 容量：16GB~4TB
器
最大順序讀取速度：560MB/s；
最大順序?qū)懭胨俣龋?20MB/s；
工業(yè)行業(yè)應(yīng)用的 mSATA SSD 系列，支持
SATA Ⅲ（6Gb/s），憑借小巧的尺寸，在
特殊的應(yīng)用下，可以提供高可靠的數(shù)據(jù)存
mSATA 固 特殊工業(yè)應(yīng)用/自動(dòng)
儲(chǔ)。
態(tài)硬盤 化設(shè)備/智慧交通
容量：128GB~512GB
最大順序讀取速度：560MB/s；
最大順序?qū)懭胨俣龋?20MB/s；
PCIe NVMe SSD，接口傳輸帶寬為 PCIe 3.0
（8Gb/s）x4，支持最新的 NVMe 1.3 協(xié)議，
AIC 固態(tài)硬 服務(wù)器存儲(chǔ)/視頻監(jiān) 應(yīng)用于超高速應(yīng)用場(chǎng)景。
盤 控 容量：120GB~2TB
最大順序讀取速度：3500MB/s；
最大順序?qū)懭胨俣龋?000MB/s；
M.2 SSD 支持 NVMe1.3 協(xié)議，搭載 PCIe
Gen3×4 數(shù)據(jù)傳輸通道，讀取速度、寫入
速度分別高達(dá) 3500MB/s、3000MB/s，可
M.2
工業(yè)電腦 輕松滿足工業(yè)電腦對(duì)高速存儲(chǔ)的需求。
固態(tài)硬盤
容量：128GB~1TB
最大順序讀取速度：3500MB/s；
最大順序?qū)懭胨俣龋?000MB/s；
可適用于自動(dòng)化設(shè)備、工業(yè)電腦與嵌入式
系統(tǒng)，是具備高效能、高穩(wěn)定性與高兼容
工業(yè)級(jí)內(nèi) 特殊工業(yè)應(yīng)用/自動(dòng)
性的內(nèi)存模組。
存條 化設(shè)備/視頻監(jiān)控
容量：8GB/16GB/32GB；
頻率：最高 4800 MT/s
（4）先進(jìn)封測(cè)
公司以子公司惠州佰維作為先進(jìn)封測(cè)及存儲(chǔ)器制造基地。惠州佰維專精于存儲(chǔ)器封測(cè)及 SiP
封測(cè)，目前主要服務(wù)于母公司的封測(cè)需求。惠州佰維封裝工藝國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，目前掌握 16 層疊 Die、
開發(fā)了一系列存儲(chǔ)芯片測(cè)試設(shè)備和測(cè)試算法，擁有一站式存儲(chǔ)芯片測(cè)試解決方案。未來(lái)，隨著產(chǎn)
能不斷擴(kuò)充，惠州佰維將利用富余產(chǎn)能向存儲(chǔ)器廠商、IC 設(shè)計(jì)公司、晶圓制造廠商提供代工服務(wù)，
形成新的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)點(diǎn)。惠州佰維目前可提供 Hybrid BGA（WB+FC）、WB BGA、FC BGA、FC CSP、LGA、
QFN 等封裝形式的代工服務(wù)。
封裝形式 相關(guān)介紹 公司典型應(yīng)用產(chǎn)品及介紹
采用了先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）
工藝，即將多枚晶粒（Die）及
與其配套的無(wú)源電子元器件，
公司 Hybrid-BGA 類產(chǎn)品主要用于存儲(chǔ)芯
根據(jù)各自的特點(diǎn)和電氣性能要
片的封裝。目前 Hybrid-BGA 封裝主流尺寸
求，通過(guò)不同的封裝工藝整合
為 11.5*13（mm），通過(guò)系統(tǒng)級(jí)混裝工藝，
在一顆芯片里。系統(tǒng)級(jí)封裝可
Hybrid-BGA/LGA 在一枚封裝中封裝了 18 顆晶粒，其中 1
將原先分散的多顆晶粒的功能
顆為倒裝晶粒，17 顆為焊線晶粒，并采用
集成在一顆芯片里，大幅提高
了毛細(xì)底部填充（CUF）工藝，植球數(shù)量
芯片的集成度、電氣連接性能，
達(dá)到 400。
并進(jìn)一步縮小芯片尺寸。
公 司 Hybrid-LGA 芯 片 組 產(chǎn) 品 尺 寸 為
公司的混裝（Hybrid）系統(tǒng)級(jí)封
裝工藝可通過(guò)堆疊結(jié)構(gòu)，同時(shí)
在一枚芯片組中封裝了 7 顆晶粒，并同時(shí)
采用正裝工藝和倒裝工藝，將
封裝了 24 顆 SMT 元件，觸點(diǎn)數(shù)量可達(dá)
多枚晶粒和電子元器件封裝成
一顆芯片。
指紋 IC 中。
兩種封裝形式均采用系統(tǒng)級(jí)封
裝工藝，采用堆疊結(jié)構(gòu)或封裝
模式，在基板上貼裝多枚正裝
芯片和電子元器件，其封裝結(jié) 公司目前最先進(jìn)的 WB-BGA 產(chǎn)品采用 15
構(gòu)采用金屬線鍵合連接方式 μm 的金線焊線技術(shù)（Golden wire die to
（Wire Bonding）同基板實(shí)現(xiàn)互 die），在一枚尺寸為 12*12（mm）的芯片
WB-BGA/LGA 連，并通過(guò)高密度和小線弧焊 上組裝，焊線數(shù)量超過(guò) 1000 根，并能集
線，以滿足產(chǎn)品更高的 I/O 輸 成多顆焊線晶粒及 SMT 元器件，植球數(shù)量
出端需求。同時(shí)，將多枚晶粒 達(dá)到 366，WB-BGA 類封裝主要應(yīng)用于消
和相關(guān)電子元器件封裝為一顆 費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)等存儲(chǔ)產(chǎn)品。
芯片，使單芯片實(shí)現(xiàn)模組化功 公 司 WB-LGA 產(chǎn) 品 封 裝 尺 寸 包 括
能；其中 WB-BGA 產(chǎn)品基板背 3*3-25*25（mm）等多種規(guī)格，一枚封裝
面采用錫球工藝，WB-LGA 產(chǎn)品 中最多封裝了 7 顆晶粒（包含 GaAs 芯片
基板采用金手指工藝，以滿足 和存儲(chǔ)芯片）、10 顆以上 SMT 元器件，觸
不同產(chǎn)品對(duì)布線密度和 I/O 輸 點(diǎn)數(shù)量可達(dá) 141。WB-LGA 廣泛應(yīng)用于射
出數(shù)量的需求。 頻芯片、藍(lán)牙芯片、Wifi 芯片等。
WB-QFN 采用銅引腳框架進(jìn)行封裝，引
線框架貼裝正裝芯片，再采用
金 屬 線 鍵 合 連 接 方 式 （ Wire
Bonding）將芯片同引線框架進(jìn) 公司 QFN 產(chǎn)品尺寸覆蓋了 2*2（mm）至
封裝形式 相關(guān)介紹 公司典型應(yīng)用產(chǎn)品及介紹
行互連。封裝底部采用外圍引 9*9（mm）多種不同規(guī)格，單一封裝晶粒
腳，為印刷線路板提供電接觸。 數(shù)量可達(dá) 4 顆，最大 pin 可達(dá) 76，相關(guān)芯
此類產(chǎn)品散熱性能優(yōu)越，適用 片主要終端應(yīng)用為移動(dòng)顯示、面板顯示、
于手機(jī)、平板電腦等領(lǐng)域。 LED 顯示、綠色照明、穿戴式設(shè)備等。
FC-CSP
兩種封裝形式均采用了先進(jìn)的
公 司 FC-CSP 產(chǎn) 品 采 用 模 塑 底 部 填 充
倒裝（Flip Chip）工藝。相對(duì)于
（MUF）或毛細(xì)底部填充（CUF）工藝，
傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式
采用的凸點(diǎn)工藝（Bumping）類型包括焊
（Wire Bonding），倒裝工藝是
錫凸點(diǎn)工藝（Solder Bump）和銅柱凸點(diǎn)
在晶圓上制作凸點(diǎn)（Bumping） ，
（Copper Pillar Bump）工藝。目前，公司
電性面朝下直接同基板互連。
所封裝的最大尺寸 FC-CSP 封裝大小為
同傳統(tǒng)金屬鍵合封裝相比，采
用倒裝形式封裝的芯片尺寸更
FC-BGA 小、散熱性和電性能更為優(yōu)越。
凸點(diǎn)數(shù)量達(dá) 1400 個(gè)，最小凸點(diǎn)間隔（Bump
其中 FC-CSP 產(chǎn)品基板背面采用
pitch）為 80um，植球數(shù)量可達(dá) 490。相
錫球工藝，F(xiàn)C-BGA 產(chǎn)品使用
關(guān)芯片主要應(yīng)用于平板電腦、智能可穿戴
Lid-attach 貼散熱蓋工藝替代傳
設(shè)備等存儲(chǔ)類產(chǎn)品。
統(tǒng) Molding 工藝，金屬散熱蓋
公 司 FC-BGA 產(chǎn) 品 支 持 0.5*0.5-45*45
大大提升了產(chǎn)品的散熱性，適
（mm）封裝尺寸，最多植球數(shù)量可達(dá)
用于大功率、高傳輸速率的存
儲(chǔ)類產(chǎn)品。
μm。FC-BGA 目前是移動(dòng)設(shè)備中的理想封
裝技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電
腦和其他移動(dòng)設(shè)備。
公司通過(guò)整合產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)生命周期管理系統(tǒng)、質(zhì)量管理系統(tǒng)、倉(cāng)庫(kù)管理系統(tǒng)、生產(chǎn)信息化
管理系統(tǒng)、產(chǎn)品更改通知管理系統(tǒng)、交付系統(tǒng)，將制造過(guò)程與采購(gòu)、研發(fā)、交付等相關(guān)環(huán)節(jié)進(jìn)行
緊密協(xié)同，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品制造信息化。公司通過(guò)芯片封裝/測(cè)試設(shè)備、模組制造/測(cè)試設(shè)備的一體化聯(lián)
機(jī)運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)制造的高度自動(dòng)化且全程可追溯。
公司在信息化和自動(dòng)化的基礎(chǔ)上，一方面通過(guò)自主開發(fā)定制將采購(gòu)、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售信息
系統(tǒng)打通，形成了產(chǎn)品全生命周期的數(shù)據(jù)管理體系；另一方面通過(guò)設(shè)備改造和全自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備
開發(fā)，實(shí)現(xiàn)了芯片及模組生產(chǎn)測(cè)試全自動(dòng)化，構(gòu)建了智能化的制造體系。
(二) 主要經(jīng)營(yíng)模式
集成電路行業(yè)經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，英特爾、三星、德州儀器等巨頭逐漸形成 IDM（Integrated Device
Manufacturing，垂直分工模式）的經(jīng)營(yíng)模式，是指企業(yè)除了進(jìn)行集成電路設(shè)計(jì)以外，同時(shí)也擁有
自己的晶圓制造廠和封裝測(cè)試廠，業(yè)務(wù)范圍涵蓋電路行業(yè)的主要環(huán)節(jié)。該模式對(duì)企業(yè)的技術(shù)能力、
資金實(shí)力、管理組織水平以及市場(chǎng)影響力等方面都有極高的要求。
隨著芯片制造工藝進(jìn)步、晶圓尺寸擴(kuò)大、投資規(guī)模增長(zhǎng)，集成電路行業(yè)趨向于專業(yè)化分工，
越來(lái)越多的企業(yè)走向?qū)I(yè)化的發(fā)展道路，只專注于集成電路的芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試三
大環(huán)節(jié)中的某一環(huán)節(jié)。
對(duì)比前兩種模式，佰維存儲(chǔ)緊緊圍繞半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈，構(gòu)筑研發(fā)封測(cè)一體化的經(jīng)營(yíng)模式，
在存儲(chǔ)介質(zhì)特性研究、固件算法開發(fā)、存儲(chǔ)芯片封裝、測(cè)試方案研發(fā)、全球品牌運(yùn)營(yíng)等方面具有
核心競(jìng)爭(zhēng)力，并積極布局芯片 IC 設(shè)計(jì)、先進(jìn)封測(cè)、芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)等技術(shù)領(lǐng)域。具體模式如下：
在研發(fā)封測(cè)一體化經(jīng)營(yíng)模式下，公司針對(duì)市場(chǎng)的不同需求進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及原材料選型，
從供應(yīng)商購(gòu)入 NAND Flash 晶圓及芯片、DRAM 晶圓及芯片、主控晶圓及芯片等主要原材料，對(duì)存
儲(chǔ)介質(zhì)開展特性研究與匹配，通過(guò)固件/軟件/硬件和測(cè)試方案開發(fā)適配各類客戶典型應(yīng)用場(chǎng)景，
并進(jìn)行 IC 封測(cè)或模組制造，將原材料生產(chǎn)成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品，銷售給下游客戶。該模式為公司
在產(chǎn)品創(chuàng)新及開發(fā)效率、產(chǎn)能及品質(zhì)保障等方面帶來(lái)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)規(guī)避了晶圓迭代的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)
和過(guò)重的資本投入。
公司高度重視產(chǎn)品設(shè)計(jì)研發(fā)，秉持以客戶需求為牽引的核心原則，構(gòu)建了基于 IPD 管理理念
的產(chǎn)品研發(fā)體系，通過(guò)組建包括市場(chǎng)、開發(fā)、生產(chǎn)制造、財(cái)務(wù)、質(zhì)量等多領(lǐng)域員工參與的 PDT 集
成開發(fā)團(tuán)隊(duì)，實(shí)現(xiàn)了從市場(chǎng)需求分析、立項(xiàng)論證、產(chǎn)品開發(fā)、產(chǎn)品驗(yàn)證、產(chǎn)品發(fā)布的全過(guò)程技術(shù)
與質(zhì)量管控，有效的保障了產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性、產(chǎn)品交付質(zhì)量及商業(yè)成功。
除客戶需求牽引的產(chǎn)品開發(fā)過(guò)程以外，公司高度重視關(guān)鍵、核心技術(shù)方向的預(yù)研布局，在公
司產(chǎn)品戰(zhàn)略的指引下，研發(fā)部門結(jié)合行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，開展技術(shù)平臺(tái)建設(shè)，以實(shí)現(xiàn)技術(shù)引領(lǐng)產(chǎn)
品，技術(shù)服務(wù)產(chǎn)品的戰(zhàn)略目標(biāo)。技術(shù)平臺(tái)通過(guò)對(duì)產(chǎn)品共有關(guān)鍵技術(shù)及核心技術(shù)進(jìn)行預(yù)研攻關(guān)，有
效的縮短了產(chǎn)品上市過(guò)程，提升了產(chǎn)品開發(fā)效率。
公司產(chǎn)品開發(fā)與技術(shù)平臺(tái)開發(fā)遵循一致的研發(fā)過(guò)程管理體系，共分為以下 6 個(gè)階段：
特定產(chǎn)品技術(shù)方向，開展核心特性分析、應(yīng)用場(chǎng)景及競(jìng)爭(zhēng)分析，尋找商業(yè)價(jià)值點(diǎn)。同時(shí)市場(chǎng)部門
與研發(fā)部門結(jié)合關(guān)鍵技術(shù)路徑分析及研發(fā)投入資源分析評(píng)估結(jié)果共同完成核心產(chǎn)品特性的取舍，
輸出市場(chǎng)需求包與投入產(chǎn)出分析，供立項(xiàng)決策，立項(xiàng)通過(guò)后進(jìn)入下一階段；
通過(guò)架構(gòu)設(shè)計(jì)、DFEMA 分析、DFX 設(shè)計(jì)等研發(fā)過(guò)程，將市場(chǎng)需求分解到芯片、硬件、軟件、封裝、
制造等各技術(shù)領(lǐng)域，形成設(shè)計(jì)需求，并由各技術(shù)領(lǐng)域研發(fā)人員完成各領(lǐng)域的方案設(shè)計(jì)、關(guān)鍵技術(shù)
點(diǎn)驗(yàn)證；產(chǎn)品測(cè)試部門在此階段開展產(chǎn)品測(cè)試方案設(shè)計(jì)，以保障設(shè)計(jì)需求得到充分驗(yàn)證。方案階
段，PDT 團(tuán)隊(duì)輸出的設(shè)計(jì)需求、產(chǎn)品架構(gòu)設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)方案、測(cè)試方案、項(xiàng)目計(jì)劃等由公司相應(yīng)技
術(shù)委員會(huì)評(píng)審?fù)ㄟ^(guò)后，用以指導(dǎo)下一階段開發(fā)工作；
硬件設(shè)計(jì)、封裝設(shè)計(jì)、固件開發(fā)、應(yīng)用軟件開發(fā)、測(cè)試開發(fā)等，并完成各技術(shù)領(lǐng)域設(shè)計(jì)需求的測(cè)
試驗(yàn)證；
完成產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝開發(fā)及導(dǎo)入，達(dá)成小批量試制的質(zhì)量目標(biāo)；
壽命測(cè)試、數(shù)據(jù)可靠性等；
入產(chǎn)品量產(chǎn)階段。產(chǎn)品發(fā)布后根據(jù)公司生產(chǎn)部門和客戶的問題反饋，持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品，達(dá)到客戶滿
意。
在上述開發(fā)過(guò)程中，公司實(shí)行商業(yè)決策點(diǎn)與技術(shù)決策點(diǎn)雙線評(píng)審的機(jī)制，通過(guò)公司產(chǎn)品管理
委員會(huì)與專家委員會(huì)的評(píng)審有效保障各階段的交付質(zhì)量。
為保障 IPD 模式有效運(yùn)作，公司設(shè)置了成都、深圳、惠州及杭州四個(gè)研發(fā)中心，廣納行業(yè)英
才，并基于技術(shù)領(lǐng)域設(shè)置了介質(zhì)研究部、系統(tǒng)架構(gòu)部、IC 設(shè)計(jì)中心、裝備開發(fā)中心、軟件部、硬
件部、測(cè)試部、封測(cè)工程部、封測(cè) R&D、項(xiàng)目管理部等技術(shù)研發(fā)及項(xiàng)目管理部門，以保障研發(fā)體
系的有效運(yùn)作及技術(shù)領(lǐng)域的資源共享。
公司目前主要的生產(chǎn)基地是惠州佰維。惠州佰維擁有芯片封測(cè)和模組制造兩個(gè)生產(chǎn)模塊，其
中芯片封測(cè)生產(chǎn)模塊進(jìn)行從晶圓到芯片的封裝測(cè)試工序，主要用于嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品的制造，并為
模組制造生產(chǎn)模塊提供 NAND Flash 芯片原料；模組制造生產(chǎn)模塊主要進(jìn)行 SMT、外殼組裝及成品
測(cè)試等工序，主要用于固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、存儲(chǔ)卡等消費(fèi)級(jí)/工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品的制造。在產(chǎn)品交付
過(guò)程中，面對(duì)客戶的大批量交付、急單交付等需求，公司自主封測(cè)制造能力可以確保客戶交期與
產(chǎn)品品質(zhì)。
在公司自有產(chǎn)能無(wú)法全部滿足生產(chǎn)需求時(shí)，部分產(chǎn)品會(huì)通過(guò)外協(xié)加工方式完成生產(chǎn)，同時(shí)公
司將部分面向 To C 市場(chǎng)生產(chǎn)工序簡(jiǎn)單、對(duì)成本較為敏感的產(chǎn)品進(jìn)行委外加工。公司外協(xié)加工涉及
的生產(chǎn)環(huán)節(jié)主要為 SMT 貼片、成品組裝、外包裝制作等技術(shù)含量相對(duì)較低的環(huán)節(jié)，以及工藝簡(jiǎn)單
的芯片封裝及測(cè)試，不涉及關(guān)鍵技術(shù)；多芯片堆疊、SiP、超薄 Die、Flip Chip 等先進(jìn)封裝工藝生產(chǎn)
均由公司自有產(chǎn)線承擔(dān)。
佰維存儲(chǔ)根據(jù)自身生產(chǎn)工序特點(diǎn)及終端存儲(chǔ)器產(chǎn)品需求，建立起完善的供應(yīng)商采購(gòu)體系：芯
片類產(chǎn)品在生產(chǎn)過(guò)程涉及的原輔料主要包括 NAND Flash 晶圓、DRAM 晶圓、主控芯片、基板等；
模組類產(chǎn)品在生產(chǎn)過(guò)程涉及的原輔料主要包括 NAND Flash 芯片、DRAM 芯片、主控芯片、PCB 等，
其中 NAND Flash 芯片主要由公司芯片封測(cè)生產(chǎn)模塊提供。
（1）存儲(chǔ)晶圓及芯片采購(gòu)
晶圓是經(jīng)集成電路制造工藝制作而成的圓形硅片，具備特定的電性功能；芯片是晶圓經(jīng)封裝
測(cè)試后能夠直接使用的成品形態(tài)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域，存儲(chǔ)晶圓及芯片均系核心存儲(chǔ)介質(zhì)，系
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的核心原材料，公司根據(jù)生產(chǎn)需求靈活選擇采購(gòu)存儲(chǔ)晶圓或芯片。全球的存儲(chǔ)晶圓
產(chǎn)能集中于三星、SK 海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、英特爾、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等存儲(chǔ)晶圓
制造廠商，該等廠商一般僅與少數(shù)重要客戶建立直接合作關(guān)系并簽訂長(zhǎng)期合約。通過(guò)多年的合作，
佰維存儲(chǔ)已經(jīng)和主要的存儲(chǔ)晶圓制造廠商、經(jīng)銷商建立了長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系，可以保障存儲(chǔ)晶
圓供應(yīng)的持續(xù)、穩(wěn)定。佰維存儲(chǔ)采用按需采購(gòu)和備貨相結(jié)合的采購(gòu)策略，一方面根據(jù)與下游客戶
簽立的銷售訂單及自身庫(kù)存情況向供應(yīng)商提出采購(gòu)需求，另一方面公司會(huì)根據(jù)對(duì)市場(chǎng)供給形勢(shì)、
存儲(chǔ)晶圓價(jià)格趨勢(shì)等市場(chǎng)因素綜合分析，進(jìn)行備貨采購(gòu)以應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)晶圓價(jià)格波動(dòng)對(duì)公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)
的影響。
（2）主控晶圓及芯片采購(gòu)
主控制器是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的核心部件之一。在采購(gòu)環(huán)節(jié)，佰維存儲(chǔ)主要根據(jù)與客戶簽立的銷
售訂單以及公司對(duì)于市場(chǎng)未來(lái)需求的預(yù)測(cè)向主控制器供應(yīng)商采購(gòu)芯片。主控制器主要供應(yīng)商有慧
榮科技、聯(lián)蕓科技、英韌科技等。通過(guò)多年的合作，佰維存儲(chǔ)已經(jīng)和行業(yè)一流的主控芯片供應(yīng)商
建立了長(zhǎng)期而穩(wěn)定的合作關(guān)系，可以保障主控制器供應(yīng)持續(xù)、穩(wěn)定。
（3）基板、PCB 等采購(gòu)
基板、PCB 是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器生產(chǎn)過(guò)程中的重要輔料。在采購(gòu)環(huán)節(jié)，佰維存儲(chǔ)主要根據(jù)與客戶
簽立的銷售訂單以及公司對(duì)于市場(chǎng)未來(lái)需求預(yù)測(cè)采購(gòu)這兩種物料。目前公司主要的基板供應(yīng)商有
深南電路、興森快捷、和美精藝等；主要 PCB 供應(yīng)商有欣強(qiáng)電子、中京電子等。上述廠商均與公
司建立了長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系。
根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)特點(diǎn)及下游客戶的需求，公司采用直銷與經(jīng)銷相結(jié)合的銷售模式。直
銷模式下，公司直接將存儲(chǔ)器產(chǎn)品銷售給終端客戶；經(jīng)銷模式下，公司產(chǎn)品通過(guò)經(jīng)銷商銷售給下
游終端客戶。
公司根據(jù)專業(yè)化運(yùn)營(yíng)的要求，構(gòu)建了完善的公司治理體系，建立了全面覆蓋研發(fā)、生產(chǎn)、采
購(gòu)、銷售和管理的組織機(jī)構(gòu)。公司通過(guò)制度體系的建設(shè)和完善，對(duì)日常經(jīng)營(yíng)實(shí)現(xiàn)了制度化、流程
化和信息化的有序管理。
(三) 所處行業(yè)情況
（1）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)基本情況
半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成
電路又可以分為存儲(chǔ)器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細(xì)分領(lǐng)域。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)
組織（WSTS）的數(shù)據(jù)，2022 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為 5,735 億美元，比 2021 年增長(zhǎng)了 3.2%。
下一代信息技術(shù)與存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展密不可分。物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、智能車聯(lián)網(wǎng)、元
宇宙等新一代信息技術(shù)既是數(shù)據(jù)的需求者，也是數(shù)據(jù)的產(chǎn)生者。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)國(guó)際數(shù)據(jù)公司
（International Data Corporation，IDC）發(fā)布的《數(shù)字化世界-從邊緣到核心》白皮書預(yù)測(cè)，全球數(shù)
據(jù)總量將從 2018 年的 33ZB 增長(zhǎng)至 2025 年的 175ZB。面臨數(shù)據(jù)的爆發(fā)式增長(zhǎng)，市場(chǎng)需要更多的存
儲(chǔ)器承載海量的數(shù)據(jù)。CFM 閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2022 年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模為 1,391.87 億美元。
公司主要從事的 NAND Flash 和 DRAM 存儲(chǔ)器領(lǐng)域是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中規(guī)模最大的細(xì)分市場(chǎng)，規(guī)
模均在數(shù)百億美元以上，合計(jì)占整個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)比例達(dá)到 95%以上。
作為電子設(shè)備的最大生產(chǎn)國(guó)和最大消費(fèi)國(guó)，中國(guó)是存儲(chǔ)芯片最大的終端使用地，但國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)
芯片目前占比較小，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)有巨大的成長(zhǎng)空間，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商迎來(lái)巨大的發(fā)展機(jī)遇。
NAND Flash 是非易失性存儲(chǔ)的一種，是大容量存儲(chǔ)器當(dāng)前應(yīng)用最廣和最有效的解決方案。CFM
閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2022 年全球 NAND Flash 市場(chǎng)規(guī)模為 601.26 億美元。目前全球主要的 NAND
Flash IDM 原廠為三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK 海力士等企業(yè)，同時(shí)國(guó)產(chǎn)廠商實(shí)現(xiàn)了快速地進(jìn)
步。
NAND Flash 具有存儲(chǔ)容量大、讀寫速度快、功耗低、單位成本低等特點(diǎn)，主要應(yīng)用于有大容
量存儲(chǔ)（Storage）需求的電子設(shè)備。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、5G 等新興應(yīng)用場(chǎng)景不斷落
地，電子設(shè)備/服務(wù)器需要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)也越來(lái)越龐大，NAND Flash 需求量巨大，市場(chǎng)前景廣闊。
DRAM 是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，DRAM 的特征是讀寫速度快、延遲低，但掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，
常用于計(jì)算系統(tǒng)的運(yùn)行內(nèi)存（Memory）
。CFM 閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2022 年全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模為
場(chǎng)占有率合計(jì)已超過(guò) 95%，其中三星市場(chǎng)占有率接近 50%。
目前，DRAM 在 Mobile 及服務(wù)器市場(chǎng)的應(yīng)用占比均超過(guò) 30%。未來(lái)隨著 AI、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)
等技術(shù)發(fā)展，服務(wù)器市場(chǎng)對(duì) DRAM 需求有望大幅增長(zhǎng)，成為 DRAM 產(chǎn)能消耗的主力。
NAND Flash 和 DRAM 等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，存儲(chǔ)晶圓的設(shè)計(jì)及制造標(biāo)準(zhǔn)化
程度較高，各原廠同代產(chǎn)品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等方面，技術(shù)規(guī)格趨同，存儲(chǔ)器的功能特性須
通過(guò)主控/固件設(shè)計(jì)、介質(zhì)特性研究、軟件/硬件/測(cè)試設(shè)計(jì)等存儲(chǔ)介質(zhì)應(yīng)用技術(shù)及芯片封測(cè)等產(chǎn)業(yè)
鏈后端環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)。不同類別的晶圓選型、封測(cè)技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)的組合，能夠?yàn)榻K端客戶提供滿足
各種場(chǎng)景需要，在容量、帶寬、時(shí)延、壽命、尺寸等方面各異的，
“千端千面”的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
存儲(chǔ) IDM 原廠憑借 IDM 模式向下游存儲(chǔ)器產(chǎn)品領(lǐng)域滲透，其競(jìng)爭(zhēng)重心在于提升晶圓技術(shù)、降
低成本、提高市場(chǎng)占有率，在應(yīng)用領(lǐng)域主要聚焦通用化、標(biāo)準(zhǔn)化的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，重點(diǎn)服務(wù)智能手
機(jī)、個(gè)人電腦及服務(wù)器等行業(yè)的頭部客戶。除該等通用型存儲(chǔ)器應(yīng)用外，仍存在極為廣泛的應(yīng)用
場(chǎng)景和市場(chǎng)需求，包括細(xì)分行業(yè)存儲(chǔ)需求（如智能可穿戴設(shè)備、智能家居、汽車電子、工業(yè)設(shè)備、
安防監(jiān)控、小規(guī)模服務(wù)器等）以及主流應(yīng)用市場(chǎng)里中小項(xiàng)目的需求。
存儲(chǔ)解決方案廠商面向下游細(xì)分行業(yè)客戶的客制化需求，進(jìn)行介質(zhì)晶圓特性研究與選型、主
控芯片定制與開發(fā)、固件/軟件/硬件開發(fā)、封裝設(shè)計(jì)與制造、芯片/模組測(cè)試、提供后端的技術(shù)支
持等，將標(biāo)準(zhǔn)化存儲(chǔ)晶圓轉(zhuǎn)化為“千端千面”的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，擴(kuò)展了存儲(chǔ)器的應(yīng)用場(chǎng)景，提升了
存儲(chǔ)器在各類應(yīng)用場(chǎng)景的適用性，推動(dòng)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)晶圓的產(chǎn)品化和商業(yè)化，是存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈承上啟
下的重要環(huán)節(jié)。領(lǐng)先的存儲(chǔ)器廠商在存儲(chǔ)晶圓產(chǎn)品化的過(guò)程中形成品牌聲譽(yù)，進(jìn)而提升市場(chǎng)表現(xiàn)，
獲得資源進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)核心優(yōu)勢(shì)的投入，形成良性循環(huán)。
在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷程中，存儲(chǔ)原廠和存儲(chǔ)解決方案廠商形成了良性的產(chǎn)業(yè)合作生態(tài)，共同
覆蓋廣闊的信息技術(shù)市場(chǎng)，滿足客戶對(duì)多樣化存儲(chǔ)器產(chǎn)品的需求。未來(lái)，隨著數(shù)字化的不斷進(jìn)展，
存儲(chǔ)細(xì)分應(yīng)用需求層出不窮，存儲(chǔ)原廠和存儲(chǔ)解決方案廠商的合作將更加緊密。
（2）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
從短期來(lái)看，受宏觀經(jīng)濟(jì)影響，2022 年半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入“降溫”期。世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組
織（WSTS）指出，2023 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將縮減 4.1%，包括美洲、歐洲、日本、環(huán)太平洋地區(qū)
在內(nèi)的全球半導(dǎo)體重點(diǎn)地區(qū)的市場(chǎng)增速均將放緩。2023 年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的觸底和復(fù)蘇是業(yè)界
關(guān)注的重點(diǎn)。
隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的普及，作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)下游最重要的細(xì)分市
場(chǎng)之一，智能手機(jī)和平板電腦市場(chǎng)的景氣度對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的行業(yè)發(fā)展有重要的影響。公司嵌入
式存儲(chǔ)中的 eMMC、UFS、LPDDR、eMCP、BGA SSD 等產(chǎn)品適用于智能手機(jī)和平板電腦。
對(duì)智能手機(jī)、個(gè)人電腦等消費(fèi)電子需求大幅減弱。在智能手機(jī)行業(yè)，根據(jù) IDC 的數(shù)據(jù)，2022 年全
球智能手機(jī)出貨量同比下降 11.3%，降至 12.06 億臺(tái)，但是單機(jī)的存儲(chǔ)容量仍然保持增長(zhǎng)趨勢(shì)。隨
著個(gè)人數(shù)據(jù)的不斷增長(zhǎng)，全球智能終端領(lǐng)域新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求將不斷增長(zhǎng)；同時(shí)，
NAND Flash 和 DRAM 成本不斷下降，也將進(jìn)一步刺激存儲(chǔ)需求的增長(zhǎng)。
智能可穿戴設(shè)備是綜合運(yùn)用各類識(shí)別、傳感、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等技術(shù)實(shí)現(xiàn)用戶交互、生活?yuàn)蕵贰⑷?/p>
體監(jiān)測(cè)等功能的智能設(shè)備。智能可穿戴設(shè)備行業(yè)按照應(yīng)用領(lǐng)域可以劃分為醫(yī)療與保健、健身與健
康及信息娛樂等。智能可穿戴設(shè)備的功能覆蓋健康管理、運(yùn)動(dòng)測(cè)量、社交互動(dòng)、休閑游戲、影音
娛樂等諸多領(lǐng)域，主要品類包括 TWS 藍(lán)牙耳機(jī)、智能手表、智能眼鏡、AR/VR 設(shè)備等。根據(jù) IDC
報(bào)告，到 2025 年，全球可穿戴設(shè)備終端銷售市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 1,063.5 億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)
設(shè)備等智能穿戴設(shè)備。
近年來(lái)，全球科技企業(yè)在 AI 及元宇宙領(lǐng)域加碼投資，在 AR、VR 及 MR 市場(chǎng)得到呈現(xiàn)，大量
存儲(chǔ)需求正在快速萌芽。據(jù) IDC 數(shù)據(jù)顯示，2021 年全球 AR/VR 總投資規(guī)模約 147 億美元，有望以
起，VR 終端銷量加速增長(zhǎng)，2021 年全球 VR 設(shè)備出貨量首次突破千萬(wàn)。在游戲、視頻等應(yīng)用驅(qū)動(dòng)
下，智能頭顯的分辨率持續(xù)增長(zhǎng)，VR 生態(tài)也逐漸完善，其中將衍生出大量存儲(chǔ)需求。雖然目前
AR/VR 頭顯領(lǐng)域的存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模還較小，但隨著智能頭顯出貨量和單機(jī)容量持續(xù)提升，預(yù)計(jì)相關(guān)
嵌入式存儲(chǔ)需求將穩(wěn)健增長(zhǎng)。
隨著智能手表/手環(huán)普及率持續(xù)提升，身體健康數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)和運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)功能的需求帶動(dòng)智能手表
/手環(huán)的市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大。更薄的尺寸、更長(zhǎng)的續(xù)航、更全面的健康監(jiān)測(cè)能力都將推動(dòng)可穿戴設(shè)備不
斷改進(jìn)人們的運(yùn)動(dòng)、健康、休閑娛樂等生活方式，智能手表/手環(huán)的發(fā)展前景非常廣闊。隨著市場(chǎng)
的發(fā)展，相關(guān)嵌入式存儲(chǔ)需求迎來(lái)增長(zhǎng)機(jī)遇。
存儲(chǔ)器是可穿戴設(shè)備的重要組成部分，很大程度上影響穿戴設(shè)備的性能、尺寸和續(xù)航能力。
伴隨智能可穿戴設(shè)備行業(yè)在各垂直領(lǐng)域應(yīng)用程度的加深，智能可穿戴設(shè)備行業(yè)將持續(xù)擴(kuò)容，可穿
戴設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)器的需求也將顯著增長(zhǎng)；同時(shí)，由于可穿戴設(shè)備對(duì)于低功耗、小尺寸、快響應(yīng)等特
性的不斷追求，其對(duì)存儲(chǔ)器的能耗比、尺寸、穩(wěn)定性、響應(yīng)速度等多個(gè)特性指標(biāo)的要求也將不斷
提高。公司研發(fā)封測(cè)一體化的布局，在該領(lǐng)域具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，能夠在低功耗、快響應(yīng)等方
面進(jìn)行固件算法優(yōu)化設(shè)計(jì)的同時(shí)，通過(guò)先進(jìn)封測(cè)工藝能力，助力產(chǎn)品的輕薄小巧。
隨著汽車消費(fèi)升級(jí)、新能源汽車的推廣以及相關(guān)政策推動(dòng)，汽車電動(dòng)化和智能化將成為新趨
勢(shì)。隨著智能化程度的不斷加深，汽車正逐步完成由交通工具到移動(dòng)終端的轉(zhuǎn)變，同時(shí)也給存儲(chǔ)
行業(yè)帶來(lái)新的市場(chǎng)機(jī)遇。當(dāng)前，汽車產(chǎn)品中主要是信息娛樂系統(tǒng)、動(dòng)力系統(tǒng)和高級(jí)駕駛輔助（ADAS）
系統(tǒng)中需要使用存儲(chǔ)設(shè)備，隨著智能化程度提高，所需的存儲(chǔ)容量也隨之增長(zhǎng)。公司 eMMC、UFS、
LPDDR 等產(chǎn)品及車載 SD 卡適用于智能汽車市場(chǎng)。
根據(jù)汽車之家研究院數(shù)據(jù)顯示，在未來(lái)隨著智能汽車的普及,關(guān)鍵零部件成本將持續(xù)下探，疊
加產(chǎn)業(yè)環(huán)境的成熟和科技的不斷進(jìn)步；預(yù)計(jì)到 2025 年，中國(guó) L2 及以上智能汽車銷量破千萬(wàn)輛，
對(duì)應(yīng)中國(guó)智能汽車滲透率達(dá) 49.3%，智能汽車市場(chǎng)潛力巨大。根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)至 2024 年，
全球 ADAS 領(lǐng)域的 NAND Flash 存儲(chǔ)消費(fèi)將達(dá)到 41.5 億 GB，2019 年-2024 年復(fù)合增速將達(dá) 79.9%。
隨著汽車智能化程度的不斷加深，對(duì)存儲(chǔ)芯片及模組的需求不斷增加，給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商帶來(lái)
新的市場(chǎng)機(jī)遇。
此外，由于存儲(chǔ)芯片的性能關(guān)乎整車行駛的安全性，車載存儲(chǔ)器在響應(yīng)速度、抗振動(dòng)、可靠
性、糾錯(cuò)機(jī)制、Debug 機(jī)制、可回溯性以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的高度穩(wěn)定性等方面相比消費(fèi)類產(chǎn)品要求更
為嚴(yán)苛，單位產(chǎn)品附加值也較消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品有明顯提升。在汽車智能化快速發(fā)展的趨勢(shì)下，未來(lái)車
載存儲(chǔ)器市場(chǎng)容量有望快速擴(kuò)容。公司于 2018 年獲得 IATF16949:2016 汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證，目
前已推出多款面向智能汽車市場(chǎng)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，正在進(jìn)行積極的市場(chǎng)推廣。
近年來(lái)，云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)幾何級(jí)增長(zhǎng)，
數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器等企業(yè)級(jí)應(yīng)用市場(chǎng)固定投資不斷增加。2022 年 2 月，國(guó)家發(fā)改委等部門印發(fā)《關(guān)
于印發(fā)促進(jìn)工業(yè)經(jīng)濟(jì)平穩(wěn)增長(zhǎng)的若干政策的通知》實(shí)施“東數(shù)西算”工程，通過(guò)構(gòu)建數(shù)據(jù)中心、云
計(jì)算、大數(shù)據(jù)一體化的新型算力網(wǎng)絡(luò)體系，將東部算力需求有序引導(dǎo)到西部，優(yōu)化數(shù)據(jù)中心建設(shè)
布局，促進(jìn)東西部協(xié)同聯(lián)動(dòng)。
一方面通信運(yùn)營(yíng)商及互聯(lián)網(wǎng)巨頭紛紛自建數(shù)據(jù)中心，同時(shí)傳統(tǒng)企業(yè)上云進(jìn)程加快，兩者共同
帶動(dòng)服務(wù)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模快速增長(zhǎng)。在數(shù)據(jù)中心作為新型基礎(chǔ)設(shè)施加快建設(shè)的背景下，服務(wù)
器/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的市場(chǎng)規(guī)模將繼續(xù)快速增長(zhǎng)，該細(xì)分領(lǐng)域的需求將大幅增加。
長(zhǎng)期看，在未來(lái)增量需求及替代需求驅(qū)動(dòng)下，服務(wù)器出貨量仍將長(zhǎng)期保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)：
“十四五”
規(guī)劃綱要提出打造數(shù)字經(jīng)濟(jì)新優(yōu)勢(shì)，新基建政策持續(xù)推進(jìn)，率先布局智算新基建已經(jīng)成為數(shù)字經(jīng)
濟(jì)轉(zhuǎn)型升級(jí)的產(chǎn)業(yè)共識(shí)，中國(guó)各地掀起人工智能計(jì)算中心“落地潮”，智算中心所承載的 AI 算力
及存力將是驅(qū)動(dòng)智慧時(shí)代發(fā)展的核心動(dòng)力，為服務(wù)器市場(chǎng)帶來(lái)巨大的增長(zhǎng)空間。
未來(lái)，5G 時(shí)代云計(jì)算將加速普及，邊緣計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用將會(huì)帶來(lái)巨量的數(shù)據(jù)吞吐需
求，井噴的數(shù)據(jù)流量需要更強(qiáng)存儲(chǔ)能力的服務(wù)器支持，運(yùn)營(yíng)商、云服務(wù)廠商將進(jìn)入大量建設(shè)數(shù)據(jù)
中心的階段，服務(wù)器需求將持續(xù)增長(zhǎng)；由于產(chǎn)品老化、性能升級(jí)等原因，服務(wù)器更換周期一般為
依據(jù) DIGITIMES Research 數(shù)據(jù)，2025 年全球服務(wù)器出貨量將增長(zhǎng)至 2,210.7 萬(wàn)臺(tái)，服務(wù)器市場(chǎng)未來(lái)
數(shù)年的出貨量提升將帶動(dòng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)的繁榮發(fā)展。同時(shí)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，尤其是 NAND Flash
具有特定的壽命限制，在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中擁有海量的更換需求。公司積極布局服務(wù)器存儲(chǔ)市場(chǎng)，
已推出適用于服務(wù)器市場(chǎng)的固態(tài)硬盤、RDIMM 內(nèi)存條等產(chǎn)品。
隨著全球電子信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展和需求的脈沖式爆發(fā)，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)在增長(zhǎng)中呈現(xiàn)
出一定的價(jià)格波動(dòng)性。2021 年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)供不應(yīng)求，據(jù) CFM 中國(guó)閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2021
年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 1,620 億美元，其中 DRAM 為 945 億美元，同比增長(zhǎng) 40%，NAND Flash 為
業(yè)供需關(guān)系惡化，據(jù) CFM 中國(guó)閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2022 年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模 1,391.87 億
美元，同比下跌 15%；其中 NAND Flash 市場(chǎng)規(guī)模為 601.26 億美元，同比下跌 11%，DRAM 市場(chǎng)規(guī)
模為 790.61 億美元，同比下跌 17%，產(chǎn)品價(jià)格大幅下滑。
存儲(chǔ)器行業(yè)作為半導(dǎo)體行業(yè)中最重要的分支之一，其行業(yè)特征具有上游產(chǎn)能集中、下游需求
多變的特點(diǎn)，上游廠商的競(jìng)合、技術(shù)的快速更迭及下游應(yīng)用需求的多變等因素導(dǎo)致存儲(chǔ)器行業(yè)具
有一定的波動(dòng)性。新一代信息技術(shù)的發(fā)展與存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展息息相關(guān)，存儲(chǔ)晶圓規(guī)格趨同，供應(yīng)
集中，下游電子產(chǎn)品發(fā)展日新月異，需求多樣、多變，供需之間無(wú)法完全匹配，因此存在短期性
的供需失衡，導(dǎo)致階段性和結(jié)構(gòu)性的供給過(guò)剩/不足，從而導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格的短期波動(dòng)。從長(zhǎng)期來(lái)
看，信息技術(shù)發(fā)展帶來(lái)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求不斷增長(zhǎng)，整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)亦隨之不斷增長(zhǎng)。
總體而言，隨著數(shù)據(jù)的不斷產(chǎn)生與存儲(chǔ)，下游應(yīng)用場(chǎng)景的不斷拓展，疊加短期供需關(guān)系的不
斷變化，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)呈現(xiàn)出在波動(dòng)中增長(zhǎng)的顯著特點(diǎn)。
目前，國(guó)產(chǎn) DRAM 和 NAND Flash 芯片市場(chǎng)份額較低，發(fā)展前景較大。在中國(guó)“互聯(lián)網(wǎng)+”、大
力發(fā)展新一代信息技術(shù)和不斷加強(qiáng)先進(jìn)制造業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略指引下，國(guó)內(nèi)信息化、數(shù)字化、智能化
進(jìn)程加快，用戶側(cè)的視頻、監(jiān)控、數(shù)字電視、社交網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用和制造側(cè)的工業(yè)智能化逐漸普及，
刺激存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)。
角色。此外，5G、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心等新一代信息技術(shù)在中國(guó)大規(guī)模開發(fā)及應(yīng)用，也催生了我國(guó)
對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的強(qiáng)勁需求。近年來(lái)，本土的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)均有較大的技術(shù)和產(chǎn)能突破，
依托中國(guó)市場(chǎng)廣闊需求，市場(chǎng)份額逐步增長(zhǎng)。隨著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈的逐步發(fā)展和完善，產(chǎn)業(yè)鏈
企業(yè)迎來(lái)了廣闊的發(fā)展機(jī)遇。
（3）公司取得的科技成果與產(chǎn)業(yè)深度融合的具體情況
公司持續(xù)投入大量的研發(fā)人員和資金，經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展積淀，取得了豐碩的科技成果。截至
專利、131 項(xiàng)實(shí)用新型專利、74 項(xiàng)外觀設(shè)計(jì)專利。公司是國(guó)內(nèi)廠商中少數(shù)同時(shí)掌握 NAND Flash、
DRAM 存儲(chǔ)器研發(fā)設(shè)計(jì)與先進(jìn)封測(cè)制造的企業(yè)。
經(jīng)過(guò)多年的行業(yè)深耕，公司已形成了嵌入式存儲(chǔ)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)、工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的完整產(chǎn)品線矩
陣。公司憑借領(lǐng)先的研發(fā)能力、可靠的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)秀的客戶服務(wù)水平，積累了優(yōu)質(zhì)的客戶資源，
產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域包括移動(dòng)智能終端、PC、行業(yè)終端、數(shù)據(jù)中心、智能汽車、移動(dòng)存儲(chǔ)等六大應(yīng)用領(lǐng)
域，通過(guò)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品服務(wù)下游大容量存儲(chǔ)應(yīng)用場(chǎng)景。
（1）布局研發(fā)封測(cè)一體化的經(jīng)營(yíng)模式
佰維存儲(chǔ)主要從事半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試和生產(chǎn)銷售，掌握存儲(chǔ)介質(zhì)特性研究、
固件算法開發(fā)、存儲(chǔ)芯片封裝、測(cè)試方案研發(fā)等核心技術(shù)，并積極布局芯片 IC 設(shè)計(jì)、先進(jìn)封測(cè)、
芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域，從而構(gòu)筑了研發(fā)封測(cè)一體化的經(jīng)營(yíng)模式。
（2）市場(chǎng)份額位居國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商前列
近年來(lái)，公司產(chǎn)品在國(guó)產(chǎn)廠商中市場(chǎng)份額位居前列，并已進(jìn)入各細(xì)分領(lǐng)域國(guó)內(nèi)外一線客戶供
應(yīng)體系，營(yíng)收保持高速增長(zhǎng)。公司是國(guó)內(nèi)少數(shù)具備 ePOP 量產(chǎn)能力的存儲(chǔ)廠商，相關(guān)產(chǎn)品已進(jìn)入
Facebook、Google、小天才等知名品牌的智能穿戴設(shè)備供應(yīng)體系。憑借長(zhǎng)期的技術(shù)研發(fā)積累和智
能化的生產(chǎn)測(cè)試體系，公司 SSD 產(chǎn)品通過(guò)了 PC 行業(yè)龍頭客戶嚴(yán)苛的預(yù)裝導(dǎo)入測(cè)試，在性能、可
靠性、兼容性等方面達(dá)到國(guó)際一流標(biāo)準(zhǔn)，目前已經(jīng)進(jìn)入聯(lián)想、宏碁、同方、富士康等國(guó)內(nèi)外知名
PC 廠商供應(yīng)鏈。
（3）研發(fā)持續(xù)投入，實(shí)力行業(yè)領(lǐng)先
公司自設(shè)立以來(lái)，堅(jiān)持技術(shù)立業(yè)，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)和封測(cè)制造領(lǐng)域不斷投入大量的研發(fā)資
源，構(gòu)建了公司競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)與發(fā)展根基。公司 2022 年研發(fā)投入為 12,639.67 萬(wàn)元，較 2021 年增長(zhǎng)
了 18.27%。公司經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展積淀，取得了豐碩的科技成果。截至 2022 年 12 月 31 日，公司
共取得 242 項(xiàng)境內(nèi)外專利和 4 項(xiàng)軟件著作權(quán)，其中專利包括 37 項(xiàng)發(fā)明專利、131 項(xiàng)實(shí)用新型專利、
并保持國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)的稱號(hào)。公司在存儲(chǔ)介質(zhì)特性研究、固件算法開發(fā)、存儲(chǔ)芯片封裝、測(cè)
試方案研發(fā)等領(lǐng)域具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
公司產(chǎn)品得到行業(yè)的廣泛認(rèn)可。2022 年，公司 C1008 2.5" SATA SSD 獲得 OFweek2022 年度中
國(guó)汽車行業(yè)優(yōu)秀汽車電子創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)、EPS200 獲得芯師爺·硬核中國(guó)芯“2022 年度最佳存儲(chǔ)芯片
獎(jiǎng)”、HP FX900 Pro 固態(tài)硬盤獲得 TweakTown 2022 編輯選擇獎(jiǎng)和 IOPS 冠軍、Predator GM7000 固
態(tài)硬盤獲得 PCMag 2022 年度“最佳 PS5 SSD”第一名等眾多獎(jiǎng)項(xiàng)和榮譽(yù)。
（4）自建封測(cè)產(chǎn)能，具備生產(chǎn)工藝優(yōu)勢(shì)
在大數(shù)據(jù)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)的加持下，全球電子信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)入裂變式發(fā)展階段，5G 通訊終
端、高性能計(jì)算(HPC)、智能汽車、數(shù)據(jù)中心等新興應(yīng)用正在加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的變革與發(fā)展，
對(duì)封測(cè)工藝及產(chǎn)品性能提出了更高的要求。
公司自建封測(cè)制造產(chǎn)能，而同行業(yè)公司主要依托委外代工。自建封測(cè)產(chǎn)能與自主研發(fā)能力的
結(jié)合給公司帶來(lái)了重要的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。首先，在產(chǎn)品開發(fā)效率和定制化方面，研發(fā)封測(cè)一體化布局
可更好的支撐到公司在智能穿戴、智能車載與工業(yè)級(jí)應(yīng)用等細(xì)分市場(chǎng)推出更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品；其
次，自建封測(cè)能力實(shí)現(xiàn)了公司產(chǎn)品全生命周期的質(zhì)量管理、追溯和改進(jìn)，深化了公司與一線客戶
的合作基礎(chǔ)，并確保了重要客戶的產(chǎn)品交付質(zhì)量；此外，自建封測(cè)也延伸了公司的價(jià)值鏈條。
及管理能力。
（1）NAND Flash 向高存儲(chǔ)密度方向持續(xù)發(fā)展
在晶圓技術(shù)方面，隨著 3D NAND 技術(shù)的發(fā)展，在全球已量產(chǎn)的 NAND Flash 中，領(lǐng)先的堆疊
層數(shù)從 128 層攀升至 176 層，2022 年底 NAND Flash 逐步邁入 200 層以上。存儲(chǔ)原廠通過(guò)增加單
位晶圓面積上產(chǎn)出的存儲(chǔ)位元，降低 NAND Flash 的單位成本，提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。不僅如此，NAND
Flash 結(jié)構(gòu)的改良以及存儲(chǔ)密度的提升，使得 NAND Flash 的 I/O 性能和功耗不斷得到優(yōu)化。
在應(yīng)用技術(shù)方面，存儲(chǔ)器接口協(xié)議是存儲(chǔ)設(shè)備與計(jì)算核心之間進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ馈ｋS著技
術(shù)的不斷演進(jìn)，SSD 接口協(xié)議從 SATA 發(fā)展到 PCIe/NVMe，目前主流為 PCIe 3.0/4.0，并向 PCIe 5.0
推進(jìn);嵌入式存儲(chǔ)接口協(xié)議從 eMMC 發(fā)展到 UFS，目前主流為 UFS 2.2/UFS 3.1，并向 UFS 4.0 推進(jìn)。
不同的應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)器的需求差異較大，因此對(duì)存儲(chǔ)器的特性提出了更高的要求。移動(dòng)設(shè)備需
要存儲(chǔ)器具有低功耗、高可靠性和足夠的存儲(chǔ)容量，同時(shí)還需要小巧的封裝。而高性能計(jì)算領(lǐng)域
則需要存儲(chǔ)器具有更高的讀寫速度、更低的延遲、更好的 QOS 和更大的存儲(chǔ)容量，并且還需要具
備更強(qiáng)的數(shù)據(jù)保護(hù)能力。公司在目前的產(chǎn)品中積極采用各大原廠最新制程的 NAND Flash，在嵌入
式存儲(chǔ)產(chǎn)品方面，覆蓋從 eMMC 到 UFS 3.1 全系列；在 SSD 產(chǎn)品方面，覆蓋從 SATA 到 PCIe 4.0 全
系列。
（2）DRAM 邁入 1β 制程節(jié)點(diǎn)，DDR5/LPDDR5 正在大規(guī)模商用的前期
在 DRAM 技術(shù)方面，三星、SK 海力士和美光已實(shí)現(xiàn) 1anm DRAM 的量產(chǎn)，2022 年四季度，全
球領(lǐng)先的 DRAM 工藝邁入 1β制程，芯片容量和速度進(jìn)一步提升。
DRAM 技術(shù)發(fā)展
隨著人工智能、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域快速發(fā)展，新型處理器內(nèi)核數(shù)量越來(lái)越多，為了與高
性能的處理器相匹配，英特爾和 AMD 新一代處理器平臺(tái)都將支持 DDR5，從而令 DDR5 的滲透率
加速提升；主流 SoC 廠商新一代產(chǎn)品都將支持 LPDDR5，也加速了 LPDDR5 滲透率的提升。2022
年，公司發(fā)布了 DDR5 內(nèi)存模組和 LPDDR5 嵌入式存儲(chǔ)，正在進(jìn)行市場(chǎng)推廣階段。
（3）智能可穿戴設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)的小尺寸、低功耗、高性能提出更高要求
據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) Counterpoint 數(shù)據(jù)顯示，2022 年全球智能手表出貨量同比增長(zhǎng) 12%。存儲(chǔ)器
作為可穿戴設(shè)備的重要組成部分，很大程度上影響可穿戴設(shè)備的性能、尺寸和續(xù)航能力。伴隨智
能可穿戴設(shè)備行業(yè)在各垂直領(lǐng)域應(yīng)用程度的加深，智能可穿戴設(shè)備行業(yè)將持續(xù)擴(kuò)容，可穿戴設(shè)備
對(duì)存儲(chǔ)器的需求也將顯著增長(zhǎng)；同時(shí)，可穿戴設(shè)備因?yàn)楣摹⒖臻g的限制，對(duì)存儲(chǔ)器的能耗比、
尺寸、穩(wěn)定性等多個(gè)特性指標(biāo)的要求也將不斷提高。公司深度布局智能穿戴市場(chǎng)，開發(fā)了 eMMC、
UFS、eMCP、ePOP、LPDDR 等滿足智能手表、AR/VR 等智能可穿戴設(shè)備的存儲(chǔ)解決方案。2022 年，
公司與全球知名的可穿戴客戶保持密切合作，持續(xù)開發(fā)領(lǐng)先的穿戴存儲(chǔ)解決方案。
（4）汽車智能化的發(fā)展推動(dòng)汽車存儲(chǔ)應(yīng)用加速落地
在汽車智能化的發(fā)展路徑中，數(shù)據(jù)處理不僅需要轉(zhuǎn)向云端服務(wù)器，而且智能汽車的本地存儲(chǔ)
需求也將顯著增長(zhǎng)。
汽車存儲(chǔ)從基本的動(dòng)力系統(tǒng)、傳感器、連接器采用的 SRAM、Nor Flash、
EEPROM、
MCP、小容量 eMMC 和 LPDDR4，轉(zhuǎn)向以 ADAS、
信息娛樂系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)的大容量 eMMC、UFS、LPDDR4X/5、
BGA SSD 等存儲(chǔ)產(chǎn)品。公司已推出適用于智能汽車的 eMMC、UFS、BGA SSD 和 LPDDR 等產(chǎn)品，正
在進(jìn)行市場(chǎng)推廣階段。
（5）企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)迎來(lái)發(fā)展契機(jī)
受益于 AI 和云技術(shù)的發(fā)展，服務(wù)器市場(chǎng)的存儲(chǔ)需求長(zhǎng)期向好，根據(jù) CFM 閃存市場(chǎng)分析，到
市場(chǎng)。
存儲(chǔ)廠商在企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)紛紛擴(kuò)大布局，存儲(chǔ)原廠率先推出高性能的 DDR5 模塊、CXL
DRAM、HBM 高帶寬存儲(chǔ)以及 eTLC NAND、eSSD 等存儲(chǔ)產(chǎn)品，不斷擴(kuò)充 U.2、U.3、E1.S、E1.L、HHHL
等規(guī)格的企業(yè)級(jí) SSD。與此同時(shí)，國(guó)產(chǎn)廠商基于自研主控芯片、固件等技術(shù)，依托國(guó)產(chǎn)化的大趨
勢(shì)和本地化的服務(wù)能力，在國(guó)內(nèi)企業(yè)級(jí) SSD 市場(chǎng)逐漸嶄露鋒芒。公司已推出適用于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用
的固態(tài)硬盤和 RDIMM 產(chǎn)品，正在進(jìn)行市場(chǎng)推廣階段。
（6）AI 云計(jì)算的高速發(fā)展，對(duì)高性能存儲(chǔ)器帶來(lái)新需求
隨著 AI 和云計(jì)算的發(fā)展，單個(gè)處理器芯片上集成越來(lái)越多的內(nèi)核，以滿足服務(wù)器數(shù)據(jù)密集負(fù)
載的需求，而 DRAM 的帶寬和容量也需要與處理器的高性能相適應(yīng)。為了滿足人工智能等場(chǎng)景對(duì)
高寬帶、高容量?jī)?nèi)存和極致算力的需求，DDR5、CXL DRAM、SCM 以及 HBM 等高帶寬存儲(chǔ)技術(shù)在
高算力領(lǐng)域被寄予厚望。公司目前正在研發(fā) DDR5 RDIMM，暫未涉足其他高帶寬存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域。
公司將保持對(duì)新技術(shù)、新應(yīng)用的持續(xù)關(guān)注。
（7）QLC NAND 有望在移動(dòng)端應(yīng)用取得突破性進(jìn)展
每個(gè) Cell 單位存儲(chǔ) 1 bit 的 SLC 和每單位存儲(chǔ) 2 bit 的 MLC NAND，P/E 壽命更長(zhǎng)和可靠性更強(qiáng)，
不過(guò)單位成本高昂，更適用于工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域。在 PC、Mobile 等消費(fèi)終端和多數(shù)企業(yè)級(jí)應(yīng)用，容
量密度和性價(jià)比更高的 TLC NAND 占據(jù)著主要市場(chǎng)。每個(gè)單位存儲(chǔ) 4 個(gè) bit 的 QLC NAND，存儲(chǔ)密
度相對(duì)于 TLC NAND 再提高 33%。隨著 QLC 性能不斷優(yōu)化，在主控不斷進(jìn)步的糾錯(cuò)技術(shù)下，QLC
存儲(chǔ)憑借成本優(yōu)勢(shì)，將在成本至上的消費(fèi)領(lǐng)域逐步擴(kuò)大應(yīng)用，甚至在移動(dòng)端應(yīng)用取得突破性進(jìn)展。
公司正在積極開發(fā)布局基于 QLC 的存儲(chǔ)解決方案。
（8）先進(jìn)封裝服務(wù)存算一體
目前，封裝技術(shù)正不斷從傳統(tǒng)向先進(jìn)封裝演進(jìn)，先進(jìn)封裝技術(shù)提升芯片整體性能成為集成電
路行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。據(jù) Omdia 預(yù)測(cè)，隨著 5G、AI、HPC 等新興應(yīng)用領(lǐng)域需求滲透，2035 年全
球 Chiplet 市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到 570 億美元，2018 年-2035 年 CAGR 為 30.16%。先進(jìn)封測(cè)技術(shù)可服務(wù)
于存儲(chǔ)和計(jì)算的整合，在解決高算力芯片的“存儲(chǔ)墻”、“功耗墻”方面發(fā)揮重要作用。公司將積
極探索先進(jìn)封測(cè)與存儲(chǔ)技術(shù)的整合和協(xié)同。
單位：萬(wàn)元 幣種：人民幣
本年比上年
增減(%)
總資產(chǎn) 441,119.984725 280,954.570518 57.01 176,614.85
歸屬于上市公司股
東的凈資產(chǎn)
營(yíng)業(yè)收入 298,569.27119 260,904.567496 14.44 164,171.18
歸屬于上市公司股
東的凈利潤(rùn)
歸屬于上市公司股
東的扣除非經(jīng)常性 6,578.26 11,825.4 -44.37 1,721.05
損益的凈利潤(rùn)
經(jīng)營(yíng)活動(dòng)產(chǎn)生的現(xiàn)
-69,259.121948 -48,820.457174 不適用 -27,206.27
金流量?jī)纛~
加權(quán)平均凈資產(chǎn)收
益率（%）
基本每股收益（元
／股）
稀釋每股收益（元
／股）
研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收
入的比例（%）
單位：萬(wàn)元 幣種：人民幣
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
項(xiàng)目
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
營(yíng)業(yè)收入 70,224.45 68,203.32 80,106.58 80,034.92
歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn) 1,559.46 3,393.19 2,651.65 -482.43
歸屬于上市公司股東的扣除非
經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)
經(jīng)營(yíng)活動(dòng)產(chǎn)生的現(xiàn)金流量?jī)纛~ -15,809.33 -6,922.32 -4,718.89 -41,808.58
季度數(shù)據(jù)與已披露定期報(bào)告數(shù)據(jù)差異說(shuō)明
□適用 √不適用
名股東情況
單位: 股
截至報(bào)告期末普通股股東總數(shù)(戶) 18,054
年度報(bào)告披露日前上一月末的普通股股東總 13,263
數(shù)(戶)
截至報(bào)告期末表決權(quán)恢復(fù)的優(yōu)先股股東總數(shù) 0
（戶）
年度報(bào)告披露日前上一月末表決權(quán)恢復(fù)的優(yōu) 0
先股股東總數(shù)（戶）
截至報(bào)告期末持有特別表決權(quán)股份的股東總 0
數(shù)（戶）
年度報(bào)告披露日前上一月末持有特別表決權(quán) 0
股份的股東總數(shù)（戶）
前十名股東持股情況
質(zhì)押、標(biāo)記或
包含轉(zhuǎn)融 凍結(jié)情況
報(bào)告 持有有限
股東名稱 期末持股 比例 通借出股 股東
期內(nèi) 售條件股
（全稱） 數(shù)量 (%) 份的限售 性質(zhì)
增減 份數(shù)量 股份
股份數(shù)量 數(shù)量
狀態(tài)
境 內(nèi)
孫成思 0 80,936,000 18.81 80,936,000 80,936,000 無(wú) 0 自 然
人
華芯投資 管理有
限責(zé)任公 司－國(guó)
國(guó) 有
家集成電 路產(chǎn)業(yè) 0 36,885,396 8.57 36,885,396 36,885,396 無(wú) 0
法人
投資基金 二期股
份有限公司
深圳市達(dá) 晨財(cái)智
創(chuàng)業(yè)投資 管理有
限公司－ 深圳市
達(dá)晨創(chuàng)通 股權(quán)投
資企業(yè)（ 有限合
伙）
上海超越 摩爾私
募基金管 理有限
公司－上 海超越
摩爾股權(quán) 投資基
金合伙企業(yè)（有限
合伙）
中船感知 海洋產(chǎn)
業(yè)基金管 理有限
公司－中 船感知 0 13,114,756 3.05 13,114,756 13,114,756 無(wú) 0 其他
海洋無(wú)錫 產(chǎn)業(yè)基
金（有限合伙）
中國(guó)互聯(lián) 網(wǎng)投資
基金管理 有限公
司－中國(guó) 互聯(lián)網(wǎng) 0 13,114,754 3.05 13,114,754 13,114,754 無(wú) 0 其他
投資基金（有限合
伙）
境 內(nèi)
吳奕盛 0 12,720,000 2.96 12,720,000 12,720,000 無(wú) 0 自 然
人
境 內(nèi)
周正賢 0 12,480,000 2.90 12,480,000 12,480,000 無(wú) 0 自 然
人
中國(guó)科技 產(chǎn)業(yè)投
資管理有 限公司
－深圳市 國(guó)科瑞
華三期股 權(quán)投資
基金合伙企業(yè)（有
限合伙）
上海成芯 成毅企
業(yè)管理中心（有限 0 10,000,000 2.32 10,000,000 10,000,000 無(wú) 0 其他
合伙）
上述股東關(guān)聯(lián)關(guān)系或一致行動(dòng)的說(shuō)明 不適用
表決權(quán)恢復(fù)的優(yōu)先股股東及持股數(shù)量的說(shuō) 不適用
明
存托憑證持有人情況
□適用 √不適用
截至報(bào)告期末表決權(quán)數(shù)量前十名股東情況表
□適用 √不適用
√適用 □不適用
√適用 □不適用
□適用 √不適用
□適用 √不適用
第三節(jié) 重要事項(xiàng)
公司經(jīng)營(yíng)情況有重大影響和預(yù)計(jì)未來(lái)會(huì)有重大影響的事項(xiàng)。
公司 2022 年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 298,569.27 萬(wàn)元，較上年增長(zhǎng) 14.44%；歸屬于上市公司股東的
凈利潤(rùn) 7,121.87 萬(wàn)元，較上年同期下降 38.91%，歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利
潤(rùn) 6,578.26 萬(wàn)元，較上年同期下降 44.37%。
止上市情形的原因。
□適用 √不適用
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