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在浙江瑞安召開(kāi)的2023國(guó)際新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會(huì)上，中國(guó)工程院院士丁榮軍表示，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)（包括Si-IGBT與SiC二極管相結(jié)合的技術(shù)）已經(jīng)開(kāi)始獲得應(yīng)用，并具有很大的性能及市場(chǎng)潛力，將在未來(lái)十年獲得高達(dá)年復(fù)合20%以上的快速增長(zhǎng)。丁榮軍指出，在電動(dòng)汽車的應(yīng)用驅(qū)動(dòng)、性價(jià)比權(quán)衡、消費(fèi)慣性等因素影響下，未來(lái)十年Si-IGBT仍將是功率半導(dǎo)體器件的主流，并將與碳化硅功率器件長(zhǎng)期并存。（上證報(bào)）
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