中宏網股票7月3日電2023年6月29日，2023中國國際半導體展覽會（SEMICON China）在上海開幕，天岳先進攜8英寸碳化硅襯底最新技術動態亮相Semicon China展會，受到高度關注。公司CTO高超博士在同期舉辦的功率及化合物半導體產業國際論壇公開了天岳先進最新進展。

天岳先進的展位備受關注

【資料圖】

天岳先進CTO高超博士介紹公司最近技術進展

據介紹，天岳先進在產品方面，目前以6英寸導電型碳化硅襯底為主，滿足全球客戶的需求。產能上，公司上海臨港工廠已經進入產品交付階段，持續發力提升6英寸襯底的產量；晶體質量和厚度持續提升，規?；a襯底質量穩定可靠。通過自主擴徑技術制備的高品質8英寸產品，目前也已經具備產業化能力。

高超博士介紹8英寸液相法進展

在技術及研發方面，一直以來，公司持續保持較高的技術研發投入，積極布局前瞻性技術。作為一種有潛力的碳化硅單晶制備新技術，液相法備受關注。通過液相法獲得均勻且高品質的晶體需要對溫場和流場進行控制，具有較高的技術難度，天岳先進在該技術上布局多年。近日，公司采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設計和工藝創新突破了碳化硅單晶高質量生長界面控制和缺陷控制難題，尚屬業內首創。

除了產品尺寸，在大尺寸單晶高效制備方面，采用公司最新技術制備的晶體厚度已突破60mm，而這對提升產能具有重要意義，該技術也是公司重點布局的技術方向之一。

SiC半導體應用發展進入快車道，特別是在高壓高功率領域優勢更加凸顯，發展加速，新的應用場景不斷涌現，但最關鍵的襯底制備環節具有極高的技術門檻和較長的擴產周期，加劇了供需缺口。天岳先進繼續在產品尺寸、晶體厚度、襯底品質等多維度持續加大研發和技術提升，始終保持領先，引領行業發展。

據了解，天岳先進是國內同時大規模量產導電型碳化硅襯底和半絕緣型碳化硅襯底的領軍企業，其中，在半絕緣碳化硅襯底領域，截至2022年，天岳先進的市占率已連續四年保持全球前三。目前，公司仍在不斷向前邁進。

作為行業龍頭，不僅在技術及研發方面天岳先進具有領先優勢外，在產能及客戶訂單儲備方面，天岳先進也具有明顯優勢。公開資料顯示，5月3日，天岳先進上海工廠產品交付儀式在上海臨港順利舉行。公司預計隨著公司技術的快速提升，將盡早實現臨港工廠第一階段30萬片的產能目標。

同日，天岳先進還與英飛凌共同宣布雙方簽訂了一項新的晶圓和晶錠供應協議。根據該協議，天岳先進將為英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的6英寸碳化硅襯底和晶棒，第一階段將側重于6英寸碳化硅材料，但天岳先進也將助力英飛凌向8英寸碳化硅晶圓過渡。值得一提的是，天岳先進的供應量預計將占到英飛凌長期需求量的兩位數份額。

值得一提的是，博世集團也與天岳先進簽署了戰略合作長期協議，以鎖定芯片制造關鍵材料碳化硅襯底的需求。

公司訂單拓展順利，產品客戶認可度高，已經與電力電子領域，汽車電子領域的國際知名企業博世集團，英飛凌等簽署了長期合作協議，具有較高的品牌知名度。天岳先進表示，未來公司將依托領先的技術優勢，持續提升產能，滿足日益增長的市場需求，堅持追求卓越的產品品質，始終為客戶創造更大的價值。

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